存儲芯片成為印鈔機

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去年年底，全球?qū)θ斯ぶ悄艿耐顿Y已經(jīng)推動存儲芯片行業(yè)進入“超級繁榮周期”。利潤屢創(chuàng)新高。預(yù)計2026年第一季度的價格將比上一季度再上漲50%。

但事情并沒有那樣發(fā)展。情況變得更好了——好得多。

周四，三星公布的第一季度凈利潤超過300億美元。這不僅打破了該公司此前的季度紀錄，而且?guī)缀醭^了這家韓國公司全年利潤的最高紀錄。

三星第一季度約 94% 的營業(yè)利潤來自其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

三星的主要內(nèi)存競爭對手——韓國的SK海力士和美國的Micron Technology也取得了類似的驚人成績。它們主導(dǎo)著內(nèi)存市場，而內(nèi)存則與英偉達的處理器芯片一起用于人工智能計算。

盡管人們越來越擔(dān)心人工智能服務(wù)最終能否帶來巨額利潤，但參與相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的公司卻正獲得一筆巨額收益。

這波歷史性的上漲行情似乎短期內(nèi)不會結(jié)束。三星負責(zé)內(nèi)存業(yè)務(wù)的執(zhí)行副總裁金在俊表示，根據(jù)三星的預(yù)訂訂單情況，預(yù)計明年供應(yīng)短缺的情況會更加嚴重。他在周四的財報電話會議上說：“現(xiàn)有供應(yīng)遠遠無法滿足客戶需求。”

今年以來，三星股價已上漲72%，SK海力士股價上漲90%，美光股價上漲65%。

據(jù)科技市場研究公司Trendforce的數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度內(nèi)存價格環(huán)比上漲近100%，約為最初預(yù)期漲幅的兩倍。

近年來，內(nèi)存制造商優(yōu)先生產(chǎn)人工智能所需的專用內(nèi)存——高帶寬內(nèi)存（HBM），這反過來又限制了智能手機、個人電腦和通用服務(wù)器等常用傳統(tǒng)內(nèi)存芯片的供應(yīng)。訓(xùn)練大型語言模型通常需要將英偉達的圖形處理器與HBM結(jié)合使用。

最近，對推理（一種使訓(xùn)練好的人工智能模型能夠響應(yīng)用戶查詢的計算類型）的需求有所增長。這刺激了對使用傳統(tǒng)內(nèi)存的通用服務(wù)器的需求，并將三星、SK海力士和美光的盈利推向了新的高度。

據(jù)FactSet估計，這三家公司2026年的凈利潤預(yù)計將達到約3500億美元。預(yù)計每家公司都將躋身全球十大最賺錢上市公司之列——三星將超越Alphabet、微軟和蘋果，躍居第二位。一年前，沒有一家內(nèi)存制造商進入前十。

一座芯片制造廠（或稱晶圓廠）的造價可能高達 200 億美元，建設(shè)周期長達數(shù)年。三星、SK 海力士和美光正在建設(shè)新的工廠，但行業(yè)分析師表示，產(chǎn)能可能要到 2027 年底或 2028 年才能達到滿負荷運轉(zhuǎn)。許多生產(chǎn)線都用于生產(chǎn) HBM，與傳統(tǒng)內(nèi)存相比，HBM 需要占用更多產(chǎn)能。

內(nèi)存主要分為兩大類：DRAM，用于服務(wù)器、PC 和其他電子設(shè)備中的臨時存儲，以加快數(shù)據(jù)處理速度；以及 NAND 閃存，用于長期數(shù)據(jù)存儲，例如在手機上存儲照片。

HBM 是通過將 DRAM 芯片堆疊而成，然后與英偉達等公司生產(chǎn)的處理器一起封裝，以加速人工智能計算。英偉達與三星、SK 海力士和美光密切合作。

Counterpoint 的半導(dǎo)體研究分析師 MS Hwang 表示，這兩種類型的營業(yè)利潤率都比往常水平翻了一番，DRAM 的營業(yè)利潤率達到 80% 左右，NAND 閃存的營業(yè)利潤率達到 60% 左右。

黃補充道，服務(wù)器、PC 和智能手機行業(yè)的許多大公司都在支付溢價，以大量采購內(nèi)存，從而限制競爭對手的供應(yīng)。“這體現(xiàn)了一種理念：誰能主導(dǎo)內(nèi)存供應(yīng)，誰就能主導(dǎo)人工智能，”他說道。

“我們今天看到的是市場有史以來最嚴重的內(nèi)存短缺，”全球電子元件分銷商 FusionWorldwide 的執(zhí)行副總裁 Marcus Chen 表示。Chen 支持的大多數(shù)客戶只能獲得所需內(nèi)存芯片的 30% 到 50%。“有些甚至更少，”他說道。

客戶和內(nèi)存芯片制造商長期以來依賴口頭協(xié)議來確保長期供應(yīng)，但現(xiàn)在在某些情況下，他們開始簽訂具有約束力的合同。花旗集團半導(dǎo)體分析師 Peter Lee 表示，一些合同的期限長達五年，要求客戶預(yù)付約 30% 的成本，或分擔(dān)新建內(nèi)存芯片工廠的投資成本。

“我們看到客戶正在采取這樣的措施，”Lee 說道。

存儲會缺到2027年

如上所述，在三星于2026年4月30日發(fā)布的完整財報中，該公司內(nèi)存業(yè)務(wù)負責(zé)人金在俊警告稱，內(nèi)存產(chǎn)品“嚴重短缺”的情況預(yù)計至少會持續(xù)到2027年。據(jù)報道，三星表示 ，由于客戶爭相確保未來的供應(yīng)，需求滿足率已降至歷史新低。這一警告與“競爭對手”SK海力士在一周前財報電話會議上的表態(tài)非常相似。

三星和SK海力士與美國美光科技一起，控制著全球超過90%的DRAM市場份額。當(dāng)全球三大內(nèi)存供應(yīng)商中的兩家同時發(fā)出未來幾年內(nèi)存短缺的警告時，人們感到擔(dān)憂也并非毫無道理。

造成內(nèi)存短缺的主要原因是人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的需求。現(xiàn)代人工智能系統(tǒng)需要海量的高速內(nèi)存來持續(xù)不斷地向GPU和加速器提供數(shù)據(jù)。而造成這一需求激增的核心是HBM（高帶寬內(nèi)存），這是一種垂直堆疊的DRAM，旨在提供極高的帶寬，同時保持與處理器物理距離很近。

HBM已成為人工智能加速器的關(guān)鍵組成部分。然而，這項技術(shù)的制造難度高、成本昂貴，需要先進的芯片堆疊、精密鍵合和復(fù)雜的封裝技術(shù)。因此，供應(yīng)有限，而需求卻超過了制造商的產(chǎn)能。

雖然HBM內(nèi)存短缺主要是由其需求驅(qū)動的，但其影響正開始蔓延至更廣泛的內(nèi)存市場。由于HBM本身就是一種DRAM，制造商正越來越多地將產(chǎn)能、工程資源和投資重新分配到利潤豐厚的AI內(nèi)存產(chǎn)品上。這種轉(zhuǎn)變可能會導(dǎo)致用于服務(wù)器、PC和移動設(shè)備的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品的供應(yīng)趨緊。此外，隨著AI數(shù)據(jù)中心需要海量存儲基礎(chǔ)設(shè)施以及計算硬件，企業(yè)級SSD的需求也在不斷增長。

具有諷刺意味的是，由于現(xiàn)有內(nèi)存架構(gòu)功耗巨大，業(yè)界同時也在尋求替代方案。我們近期報道了正在研發(fā)的下一代內(nèi)存技術(shù)，例如3D X-DRAM和ZAM（Z-Angle Memory），這些技術(shù)旨在降低功耗并突破擴展性限制。

盡管對未來替代方案進行了大量投資，但對現(xiàn)有存儲技術(shù)的需求仍然十分旺盛。

據(jù)報道，三星表示，部分客戶已經(jīng)確保了到 2027 年的供貨配額。今年早些時候，SK 集團董事長崔泰元曾表示，人工智能相關(guān)的內(nèi)存需求壓力可能會持續(xù)到 2030 年。

短缺對這些公司本身來說未必是壞消息。

三星半導(dǎo)體部門2026年第一季度營業(yè)利潤達53.7萬億韓元（約合361億美元），約占公司當(dāng)季總利潤的94%，主要得益于人工智能內(nèi)存需求的飆升推動了創(chuàng)紀錄的銷售額。與此同時，SK海力士也公布了創(chuàng)紀錄的季度營收，達52.6萬億韓元（約合355億美元），營業(yè)利潤達37.6萬億韓元（約合278億美元），這主要得益于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施用HBM（人腦內(nèi)存）的銷售火爆。

部分問題具有周期性。內(nèi)存行業(yè)歷來在供過于求和供不應(yīng)求之間搖擺不定。然而，分析師們越來越認為，此次周期有所不同，因為人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的增長正以前所未有的速度消耗硬件。

為應(yīng)對危機，各公司正積極擴大產(chǎn)能，并加大對先進封裝和存儲器制造的投資。據(jù)《韓國時報》報道，近期提交的監(jiān)管文件顯示，三星電子計劃在2025年向其位于西安的存儲芯片工廠投資4654億韓元，同比增長67.5%。SK海力士也大幅增加了支出，分別向其位于無錫的工廠投資5811億韓元，向其位于大連的工廠投資4406億韓元。

然而，半導(dǎo)體制造廠和先進存儲器封裝設(shè)施需要數(shù)年時間才能擴建和提高產(chǎn)能，這意味著供應(yīng)增長無法跟上人工智能驅(qū)動的需求增長速度。

內(nèi)存短缺問題正成為人工智能爆炸式發(fā)展帶來的眾多資源短缺問題之一。

GPU短缺問題在部分行業(yè)已經(jīng)十分嚴重。本月初，我們報道了英特爾證實，市場需求異常旺盛，甚至出現(xiàn)了客戶購買以往可能被丟棄或視為低價值產(chǎn)品的芯片的情況。

電力正成為另一個主要瓶頸。人工智能數(shù)據(jù)中心消耗大量電力，迫使科技公司尋求越來越非常規(guī)的能源解決方案。本月初，Meta Platforms支持了一項計劃，該計劃涉及太空太陽能發(fā)電系統(tǒng)，理論上可以將太陽能傳輸回地球，以幫助滿足未來人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的需求。

內(nèi)存價格不會下降了？

隨著內(nèi)存持續(xù)成為人工智能硬件討論的焦點，韓國投資證券（KIS）的一份研究報告指出，內(nèi)存價格可能不會下降。由于內(nèi)存與人工智能GPU的性能直接相關(guān)，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商已下了長期訂單。KIS認為，即使這段時間過去，內(nèi)存短缺對內(nèi)存價格的影響也可能持續(xù)存在，因為內(nèi)存芯片能夠驅(qū)動人工智能GPU的關(guān)鍵性能指標。

該研究報告解釋說，由于擴展內(nèi)存容量可以提高GPU的利用率，從而提高GPU的成本效益，因為可以處理更多tokens。因此，人工智能公司訂購了更多內(nèi)存芯片，以提高效率并降低每個tokens的處理成本。由于更多內(nèi)存允許更多tokens靠近GPU，GPU處理更多tokens的能力也隨之提高，因為無需從存儲設(shè)備“傳輸”tokens。

據(jù)KIS稱，效率的提高不僅促使超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商下達長期產(chǎn)能訂單，而且這種趨勢未來可能還會繼續(xù)。

研究公司KIS解釋說，因此，盡管市場預(yù)期DRAM內(nèi)存價格或需求會下降，但目前DRAM內(nèi)存價格每年上漲三倍，價格可能仍將居高不下。KIS補充道，市場的觀點可能存在缺陷，因為盡管價格更高，但GPU利用率提高帶來的收益也更高，因為更大的內(nèi)存容量可以提升系統(tǒng)級性能，而不僅僅是單個芯片的性能。

該公司補充道，對HBM和DRAM內(nèi)存模塊的高需求以及由此導(dǎo)致的產(chǎn)能緊張也推高了對NAND芯片的需求。這一需求與人們普遍認為的NAND芯片需求增長可能會緩解DRAM市場壓力的觀點相悖，因為各公司正致力于將NAND集成到人工智能系統(tǒng)中。支撐NAND需求持續(xù)高漲的另一個因素是其價格低于DRAM，這使得即使在需求極高的情況下，NAND芯片也能擁有更大的供應(yīng)彈性。

HBM 容量緊張和 AI 超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的需求也在推動該領(lǐng)域的創(chuàng)新，像 SK 海力士這樣的公司正在尋求通過混合鍵合等技術(shù)來增加單個芯片中的內(nèi)存芯片數(shù)量，從而從封裝中去除銅凸點。

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

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