【硬件資訊】內存制造工藝開始“大”進步，SK海力士計劃1c nm流片HBM4E，三星制造出首個10nm以下工藝DRAM！

新 聞1：SK 海力士計劃 2026H2 出樣 HBM4E：基于 1c DRAM，2027 年量產

4 月 23 日消息，SK 海力士 (hynix) 當地時間今日舉行了 2026Q1 財報電話會議，會上該企業高管表示海力士的 HBM4E 內存正以 2027 年量產的目標順利推進開發工作，計劃 2026H2 開始供應樣品。

SK 海力士在 HBM4E 上將使用基于 1c nm 制程工藝的 DRAM 裸片，這一節點已在多款其它產品中得到驗證，良率和量產能力達到了成熟階段；而基礎裸片部分正在基于滿足客戶性能要求的最優技術進行開發。

SK 海力士代表認為谷歌 TurboQuant 等數據壓縮技術的設計意圖是提升內存應用效率而不是減少內存用量。隨著 AI 服務變得更加普及，內存需求還會進一步增加；而 AI 服務的多樣化也將推動存儲半導體的進一步分層。

在閃存端，該企業目標在 2026 年將超過一半的韓國本土產能轉換為 V9 NAND，從 176 層 V7 到 321 層 V9 的跨越式進步將大幅提升 NAND 生產效率。

SK 海力士未來的產能擴充重心是逐步推進的龍仁半導體集群，目前沒有其它的晶圓廠建設或收購計劃，但其同時表示將靈活應對全球內存需求的中長期增長。

原文鏈接：https://m.ithome.com/html/942702.htm

隨著終端廠商的需求越來越高，內存產品也開始需要極高的制造工藝，作為下一代高帶寬內存的HBM4E自然也是如此。SK海力士這次使用的1c nm工藝已經算是現在最先進的內存制造工藝了。不知道大家還記不記得，早在20年左右，內存就進入了10nm級工藝，沒有采用常用的10、12、14、16這樣，而是1x、1y、1z，在后期又補充了1a、1b、1c，1c已經是10nm級最高精的制程工藝了，SK海力士還算是有誠意？

新 聞 2：三星1dnm DRAM良品率未達標，或導致HBM5E推遲量產

今年2月三星開始量產HBM4，結合了4nm基礎裸片（Base Die），并搭配1cnm（第六代10nm級別）工藝制造DRAM芯片。隨著HBM4步入正軌，最近傳出三星決定加快后續HBM產品的開發工作，將開發周期從2年縮短至1年，使其能夠以更快的速度發布下一代HBM產品。

據Wccftech報道，最近有消息人士透露，三星基于1dnm（第七代10nm級別）工藝制造的DRAM芯片在試生產期間，良品率低于預期，計劃無限期推遲大規模生產，直到良品率達到目標。三星可能通過重新全面審查工藝流程，以進一步提高良品率。

三星原來打算將1dnm工藝制造的DRAM芯片用于HBM5E，也就是第九代HBM解決方案。也就是說除了HBM4外，目前1cnm工藝制造的DRAM芯片還將用于HBM4E和HBM5，連續三代HBM產品。傳聞三星可能升級下一代HBM的基礎裸片，改用更先進的2nm工藝。

三星已經投入更多資源在1dnm工藝制造的DRAM芯片上，正在韓國建設一座新工廠。據了解，該工廠占地面積約四個標準足球場那么大，除了生產DRAM芯片，還會負責封裝、測試、物流和品控等工作，這些環節對于維持穩定的生產至關重要。

原文鏈接：https://www.expreview.com/105409.html

比SK海力士更進一步的是，三星已經開始計劃使用1d nm工藝制造HBM5了，但良率很低還是有些低，可能會推遲生產進度……不知道大家是不是好奇，前邊不是說只有1x、1y、1z、1a、1b、1c嗎？這個1d是哪里來的？其實這也是三星啟動的新制程，是第七代10nm級……這么高端的內存了，竟然還是10nm級，內存廠商是不是有些懈怠了？

新 聞3： 三星造出首個10nm，以下工藝DRAM采用4F2單元結構和VCT技術，預計2028年量產

隨著行業推進到10nm以下級別的先進制程節點，DRAM擴展變得越來越復雜。目前市場上最先進的DRAM工藝是1cnm工藝，屬于第六代10nm級別，其中運用到EUV光刻機，三星和SK海力士都已開始量產。

據TrendForce報道，三星在上個月首次采用10nm以下工藝制造了DRAM工程芯片，并在器件特性測試中確認可以正常工作。三星計劃于2026年內完成10a DRAM工藝開發，2027年進行質量測試，2028年轉入量產階段。

過去相當長的一段時間里，DRAM工藝一直徘徊在10nm級別，涵蓋了1x、1y、1z、1a、1b、1c至1d。這次三星帶來了全新的10a DRAM工藝將實際線寬縮小至9.5nm至9.7nm之間，成為了業界首個跨入到個位數nm級別的sub-10nm DRAM工藝技術。

三星的10a DRAM工藝有兩項關鍵技術，分別是4F2單元結構和VCT技術。當前的DRAM一般采用6F2單元結構，其中“F”代表光刻工藝的最小特征尺寸。相比于6F2單元結構，新的4F2單元結構將每個存儲單元置于 2F×2F 的面積內，運用更先進的擴展方法，在相同芯片尺寸內將單元密度提升了30%至50%。4F2單元結構得益于VCT技術，將電荷存儲電容器直接堆疊在晶體管上方，改變了以往兩者水平并列的布局，打造了更為緊湊的結構。

另外三星也運用了新的材料，舍棄傳統硅材料，采用銦鎵鋅氧化物（IGZO）作為溝道材料，有效解決了單元尺寸縮小后可能出現的漏電流問題，保障數據存儲的穩定性。不過三星在生產過程中還存在一些問題需要解決，接下來會對工藝進行調整。

原文鏈接：https://www.expreview.com/105529.html

10nm級別用小碎步跑了這么多年了，終于要來到新的領域了嗎？三星終于帶來了10a DRAM技術，將DRAM制造工藝帶到了10nm以下。不過，內存很難做到更先進制程，也是由于其芯片特點導致的，三星為了攻克這個難題也是在芯片上采用了新的材料技術，不過量產還有很長時間要等待，不知道新工藝內存的成本方面會怎么樣。

買電腦討論群：386615430

二手硬件回收微信號：diannaobapingceshi

文章轉載自網絡（鏈接如上）。文章出現的任何圖片，標志均屬于其合法持有人；本文僅作傳遞信息之用。如有侵權可在本文內留言。

引用文章內容與觀點不代表電腦吧評測室觀點.