北京
芯東西（公眾號：aichip001）
編譯 劉煜
編輯 陳駿達
芯東西3月12日消息，3月10日，IBM與美國泛林集團宣布展開合作，共同推進sub-1nm芯片制程。合作包括開發新型材料、先進工藝與高數值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）技術，為下一代邏輯芯片研發提供技術支撐，加速相關技術在行業內的普及應用。
泛林集團是全球領先的半導體晶圓制造設備與服務供應商，擁有端到端的工藝設備。如Kiyo與Akara刻蝕平臺、Striker和ALTUS Halo沉積系統，Aether干膜光刻膠技術以及為納米片、納米堆疊器件與背面供電架構構建并驗證完整工藝流程的先進封裝技術。目前，許多先進芯片均采用泛林技術制造。
▲ALTUS Halo設備圖（圖源：泛林集團官網）
IBM與泛林集團已在邏輯芯片制造領域合作十余年，共同推動了早期7nm、納米片（nanosheet）及極紫外光刻（EUV）工藝技術的實現。此次新的合作協議長達五年，協議稱，雙方將通過合作使邏輯芯片制程進一步拓展至sub-1nm節點。
泛林集團首席技術官兼可持續發展官瓦希德·瓦赫迪（Vahid Vahedi）稱，“隨著行業進入三維制程微縮（3D scaling）的新時代，技術進步取決于我們如何重新將材料、工藝與光刻整合為一套高密度的完整系統。”
雙方團隊將整合泛林集團的優勢與IBM在紐約州奧爾巴尼納米技術綜合體的研發能力，讓高數值孔徑極紫外光刻圖形能夠高良率、高可靠性地轉移到真實器件層中，從而實現制程持續微縮和性能提升，并為未來邏輯芯片提供可行的量產路徑。
對于1nm制程的落地，作為產業鏈巨頭的臺積電與三星，也在逐步布局。
2023年12月，臺積電于IEEE發表有關1nm制程的產品規劃，臺積電稱，預計2027年實現1.4nm節點，到2030年實現1nm節點。
2025年4月，三星電子宣布啟動“夢想制程”1nm芯片研發，預計2029年后實現量產，旨在通過顛覆性技術突破追趕臺積電。三星內部已將部分參與2nm研發的工程師調任至1nm項目組，顯示出對該項目的戰略重視。
結語：技術與設備相協同，1nm制程或將加速進入現實
由此可見，對于sub-1nm制程的挑戰已不再是簡單縮小尺寸，需要在材料與技術層面上實現系統性突破。IBM與泛林集團此次達成的長期合作，或將為攻克sub-1nm制程難題以及構建長期技術競爭力積累優勢。
目前，AI算力需求暴漲，企業沖刺更小納米制程，隨著新型材料、先進刻蝕與薄膜沉積技術以及高數值孔徑極紫外光刻技術逐步落地，行業對1nm領域的技術探索將進一步深入。
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