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據臺媒報道,前臺積電封裝副總裁Douglas Yu(余振華)已加入聯發科,據聯發科內部人士透露,他們預計他的到來將使首次采用EMIB-T技術相關的技術和量產風險比之前擔心的要容易管理得多。
報道此消息的媒體援引一位業內人士的話稱:“臺積電以為客戶不會離開,但他們還是離開了。”該媒體還評論稱,雖然臺積電現在正匆忙填補CoWoS與SoW之間的封裝缺口,但根據當前時間表,臺積電似乎很難重新拿下TPU v9的封裝訂單。
臺積電研發的最終騎士
臺積電研究發展副總經理暨卓越科技院士余振華,于2025年7月8日正式退休。
而臺積「研發六騎士」的美談并未熄滅,這位真正尚在近期,仍于臺積電任職的「最終騎士」余振華,也被半導體業界高度評價,十足地推動臺積電站上晶圓代工產業頂峰。
業界人稱道格(英文名)的余振華,自1994年加入臺積電,從銅制程的重大突破,到領軍開發CoWoS、InFO等劃時代先進封裝技術,為臺灣半導體技術創下無數里程碑,對臺積電登上全球晶圓代工龍頭地位貢獻深遠。
1955年出生于基隆的余振華,1977年自清大物理系畢業,1979年取得材料工程碩士學位,并于1987年獲美國喬治亞理工學院材料工程博士學位,畢業后進入當時全球最先進的美國AT&T貝爾實驗室,參與單芯片電漿輔助薄膜蒸鍍與低功率元件等制程技術的研發,開啟其半導體研究生涯。
余振華1994年返臺,加入臺積研發部門,負責關鍵制程模組開發。并在1997年著手推動銅導線制程,領軍建立全臺首座銅制程實驗室,自主研發出0.18微米先進銅制程,成功實現150納米到130納米制程世代轉換,更確立了銅導線取代鋁的業界趨勢。
余振華多年來聚焦IC后段制程技術與材料創新,累積取得超過190項美國與173項臺灣專利,涵蓋低介電材料、封裝整合技術與先進制程等多個關鍵領域。
除了技術貢獻,余振華也是推動臺灣產業鏈整合的關鍵人物,其力拱的3D芯片整合與硅穿孔(TSV)技術,帶動上下游廠商投入3D芯片設備研發,進一步強化臺灣先進封裝產業聚落。
余振華歷任臺積電先進晶圓制程資深處長、先進封裝技術處副總經理,也是臺積電唯一的「卓越科技院士」,長期致力于半導體封裝與異質整合系統的研發,橫跨從晶圓制程、材料科學到封裝設計等多領域,其于產學界享有崇高聲望。
他曾任IEEE IITC聯合主席,并為國際構裝暨電路板研討會(IMPACT)指導委員,也是美國國家工程學院(NAE)院士,曾獲頒張忠謀博士創新獎。
(來源:半導體行業觀察綜合)
*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯系半導體行業觀察。
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