臺積電先進封裝功臣：余振華傳入職聯發科

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據臺媒報道，前臺積電封裝副總裁Douglas Yu（余振華）已加入聯發科，據聯發科內部人士透露，他們預計他的到來將使首次采用EMIB-T技術相關的技術和量產風險比之前擔心的要容易管理得多。

報道此消息的媒體援引一位業內人士的話稱：“臺積電以為客戶不會離開，但他們還是離開了。”該媒體還評論稱，雖然臺積電現在正匆忙填補CoWoS與SoW之間的封裝缺口，但根據當前時間表，臺積電似乎很難重新拿下TPU v9的封裝訂單。

臺積電研發的最終騎士

臺積電研究發展副總經理暨卓越科技院士余振華，于2025年7月8日正式退休。

而臺積「研發六騎士」的美談并未熄滅，這位真正尚在近期，仍于臺積電任職的「最終騎士」余振華，也被半導體業界高度評價，十足地推動臺積電站上晶圓代工產業頂峰。

業界人稱道格（英文名）的余振華，自1994年加入臺積電，從銅制程的重大突破，到領軍開發CoWoS、InFO等劃時代先進封裝技術，為臺灣半導體技術創下無數里程碑，對臺積電登上全球晶圓代工龍頭地位貢獻深遠。

1955年出生于基隆的余振華，1977年自清大物理系畢業，1979年取得材料工程碩士學位，并于1987年獲美國喬治亞理工學院材料工程博士學位，畢業后進入當時全球最先進的美國AT&T貝爾實驗室，參與單芯片電漿輔助薄膜蒸鍍與低功率元件等制程技術的研發，開啟其半導體研究生涯。

余振華1994年返臺，加入臺積研發部門，負責關鍵制程模組開發。并在1997年著手推動銅導線制程，領軍建立全臺首座銅制程實驗室，自主研發出0.18微米先進銅制程，成功實現150納米到130納米制程世代轉換，更確立了銅導線取代鋁的業界趨勢。

余振華多年來聚焦IC后段制程技術與材料創新，累積取得超過190項美國與173項臺灣專利，涵蓋低介電材料、封裝整合技術與先進制程等多個關鍵領域。

除了技術貢獻，余振華也是推動臺灣產業鏈整合的關鍵人物，其力拱的3D芯片整合與硅穿孔（TSV）技術，帶動上下游廠商投入3D芯片設備研發，進一步強化臺灣先進封裝產業聚落。

余振華歷任臺積電先進晶圓制程資深處長、先進封裝技術處副總經理，也是臺積電唯一的「卓越科技院士」，長期致力于半導體封裝與異質整合系統的研發，橫跨從晶圓制程、材料科學到封裝設計等多領域，其于產學界享有崇高聲望。

他曾任IEEE IITC聯合主席，并為國際構裝暨電路板研討會（IMPACT）指導委員，也是美國國家工程學院（NAE）院士，曾獲頒張忠謀博士創新獎。

（來源：半導體行業觀察綜合）

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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