北京
2026年5月8日，英飛凌發(fā)布聲明稱，美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會近日的最終裁決維持了其于2025年12月作出的初步裁定，確認英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項氮化鎵（GaN）技術專利，并下令對英諾賽科實施進口和銷售禁令。ITC委員會的最終裁決及其頒布的相關禁令仍需經過為期60天的美國總統審查期后生效。
英飛凌表示，該裁決是又一項積極的結果，進一步彰顯了英飛凌在氮化鎵技術領域所作貢獻的價值。在德國進行的相關訴訟中，英飛凌正在慕尼黑第一地方法院（Landgericht München I）就三項專利和一項實用新型專利的侵權問題提起訴訟。早在2024年8月，慕尼黑法院就已裁定英諾賽科侵犯了英飛凌指控的首項專利。另一項專利和一項實用新型專利的庭審將于2026年6月舉行。
對此，英諾賽科發(fā)布公告回應稱，美國ITC在第 337?TA?1414 號調查中作出最終裁定，確認英諾賽科當前的氮化鎵（“GaN”）功率器件產品未侵犯英飛凌的相關專利，并可不受限制地繼續(xù)在美國進口和銷售。
ITC 全體委員一致同意英諾賽科現有產品未侵犯英飛凌美國第 9,070,755 號專利（涉及電極設計）和第 9,899,481 號專利（涉及封裝設計）。
不過，英諾賽科也承認，ITC委員會僅認定第 9,899,481 號專利中的兩項權利要求有效且僅被英諾賽科早已停止生產和銷售的歷史舊產品侵權。因此，相關的進口和銷售禁令對英諾賽科在美國的現有業(yè)務不具有實質影響。英諾賽科將繼續(xù)不間斷地向美國及全球客戶供應其現有的 GaN 功率產品。
ITC 的最終裁定確認，英諾賽科的產品源于獨立自主的技術創(chuàng)新，并徹底挫敗了英飛凌試圖通過缺乏根據的訴訟手段限制合法競爭的企圖。功率半導體行業(yè)的未來應由更優(yōu)異的產品所塑造，而非毫無根據的訴訟伎倆。
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編輯：芯智訊-浪客劍
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