上海
5月12日，據(jù)《朝鮮日報》等多家韓國媒體報道，三星電子已從今年3月起，逐步停止其位于韓國華城校區(qū)12號產線的2D NAND生產，并將該設施改造為1c DRAM（第6代10納米級DRAM）的“End Fab”后端工廠。
報道稱，這條月產能8萬至10萬片晶圓的生產線，是三星最后一座2D NAND基地。它的關閉標志著自2002年三星全球首次量產1Gb NAND閃存以來，長達24年的2D NAND時代正式宣告終結。
三星的停止2D NAND生產非孤立事件。其決策與MLC NAND產品的停產緊密掛鉤。MLC（多階存儲單元）每單元存儲2比特數(shù)據(jù)，雖然容量不及TLC（3比特）和QLC（4比特），但數(shù)據(jù)保持能力和耐久性遠優(yōu)于后者，一直是對可靠性要求苛刻的醫(yī)療設備、工業(yè)機器人等市場的“標配”。然而，由于利潤微薄，三星已向客戶發(fā)出MLC NAND停產通知，預計2026年6月完成最后出貨后全面停止供應。
緊隨其后，日本鎧俠（Kioxia）也在今年3月正式通知客戶逐步退出2D NAND市場。根據(jù)通知，客戶最后下單截止日為2026年9月30日，最終出貨將延續(xù)至2028年12月31日，2029年起全面撤出。此次停產范圍極廣，涵蓋32納米、24納米、15納米制程的SLC、MLC、TLC全類型產品，以及裸晶圓、BGA、TSOP封裝乃至eMMC、UFS、SD卡等全形態(tài)產品，屬于整條舊世代技術平臺的全面退役。
美光同樣也在收縮，目前僅按現(xiàn)有客戶需求維持MLC NAND生產。同時美光還正式終止旗下消費品牌“Crucial”業(yè)務，將舊制程晶圓產能全面轉向AI數(shù)據(jù)中心所需的先進存儲器。
價格暴漲300%，恐慌性囤貨已至
大廠的退出速度遠超市場技術迭代的步伐。市場調研機構TrendForce預測，2026年全球MLC NAND產能將比前一年驟降41.7%。更嚴峻的是，三星和美光在淘汰舊設備時，拒絕向外界授權核心的MLC制造技術，新玩家?guī)缀鯚o法入場填補缺口。
供需失衡已直接引爆價格。部分SLC和MLC產品單月漲幅達兩位數(shù)，MLC 64Gb現(xiàn)貨價格從2025年底的約6美元飆升至20至28美元區(qū)間，漲幅超過300%，“恐慌性囤貨”已達到頂峰。
Digitimes今年3月曾報道稱，雖然國際大廠淡出低容量的2D NAND舊制程產線，SLC/MLC NAND價格暴漲。其中，MLC NAND今年一季度價格翻倍上漲，第二季度價格預計將再2倍翻漲，只要有產能釋出，就立刻被客戶搶走，市場缺口難以補足，若累計從2025年起至今，價格幾乎漲了10倍。
華邦電子成最大贏家
2D NAND市場留下的巨大缺口，正在向仍堅守這一領域的中國臺灣廠商轉移。據(jù)臺媒《經濟日報》報道，華邦電子長期專注浮柵式架構SLC NAND利基市場，產品覆蓋1Gb至8Gb容量，擅長車用電子、工業(yè)控制等需要高耐用度與高溫穩(wěn)定性的場景，被業(yè)界視為承接鎧俠退出后轉單最多的贏家。旺宏電子同樣具備19納米2D NAND制程能力，產品覆蓋2Gb至32Gb，亦將同步受益。
此外，中國大陸的兆易創(chuàng)新、東芯股份、普冉股份等也將從中受益。其中，兆易創(chuàng)新同時布局SLC/MLC NAND，東芯股份專注于中小容量SLC/MLC NAND，普冉股份主打中小容量SPI SLC NAND。
一位半導體行業(yè)人士對此評論稱：“資源向高附加值AI存儲器的集中，正在瓦解支撐實體經濟的傳統(tǒng)存儲市場。家電和汽車制造商的成本壓力及供應鏈風險，至少將持續(xù)到明年。”
編輯：芯智訊-浪客劍
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
