長電科技玻璃基TGV射頻IPD，實現性能突破

整體性能表現優于硅基IPD技術路線。

4月17日，長電科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）結構與光敏聚酰亞胺（PSPI）再布線（RDL）工藝的晶圓級射頻集成無源器件（IPD）工藝驗證，通過測試結構的試制與實測評估，公司驗證了在玻璃基底上構建三維集成無源器件的可制造性與性能優勢，為5G及面向6G的更寬帶寬射頻前端與系統級封裝優化提供了新的工程化路徑。

TGV IPD示意圖

據介紹，長電科技基于TGV構建3D互連骨架，在玻璃基板上實現電感、電容等關鍵無源結構的集成，并將傳統平面電感升級為3D結構，以降低高頻損耗并提升器件品質因數（Q值）。在對比評估中，3D電感在Q值等關鍵指標上實現顯著提升，在既定測試條件下較同等電感值的平面結構提升接近50%。同時，整體性能表現優于硅基IPD技術路線，為射頻模組的小型化、高集成度與性能指標提升提供了可行的工程方向。

此次IPD性能突破離不開長電科技長期的研發投入，其中2025年研發投入20.86億元，同比增長21.37%，主要集中在高性能計算、下一代系統級封裝SiP、高可靠性汽車電子、功率能源等核心領域。

在先進封裝領域，推動多芯片異構集成封裝產品規模化量產并持續拓展客戶群；光電合封 （CPO）產品實現客戶樣品交付，玻璃基板產品研發取得積極進展，已初步驗證玻璃基板在大尺寸FCBGA的應用；同步前瞻布局面板級高密度封裝技術（PLP）等。面向高集成度、薄型化與小型化趨勢，完善高密度3DSiP與PoP封裝解決方案，并開發適用于復雜系統集成的多層堆疊SiP封裝技術。

汽車電子方面，依托汽車中試線平臺，圍繞工藝智能化與量產高效化展開系列創新，通過AI驅動的2D/3D自動光學檢測與多維度物聯網監控提升制造穩定性，借助自動模具更換、去焊劑流 程簡化及自動補焊球項目增強量產柔性并優化成本；電驅模塊持續完善產品系列并通過國際主流汽車零部件廠商認證。

功率能源領域，針對新一代數據中心電源供電架構的SIP封裝模塊及基于第三代半導體芯片技術的機器人、車載應用場景高效散熱封測技術取得開拓性進展。面向800VHVDC電氣架構，支持多家國際頭部客戶完成打樣及終端認證，成功進入未來新架構供應鏈體系。在更高開 頻率需求下，與客戶合作完成了埋入式封裝方案芯片前處理能力升級，成功為多家客戶交付樣品； 協同客戶優化人形機器人GaNHEMT芯片散熱方案。

2026年長電科技將加大先進封測方案研發投入，推動2.5D/3D封裝、超大尺寸器件、高端面板級封裝、玻璃基板及光電合封等前沿領域的技術突破與應用逐步落地，同步提升射頻性能及小型化解決方案。

針對此次玻璃基TGV射頻IPD實現性能突破，長電科技副總裁、技術服務事業部總經理吳伯平表示：“面向AI算力芯片的迭代躍遷與6G通信的前瞻布局，長電科技將加速推進玻璃基TGV與PSPI晶圓級IPD技術在射頻系統級封裝中的工程化落地。我們將深化與頭部客戶及產業鏈伙伴的協同創新，通過聯合開發與驗證，推動相關技術走向規模化量產，為下一代邊緣計算和無線連接提供更高性能、更高集成度的系統級解決方案。”

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