劍指BIC！瑤芯重磅發布新一代100V超低導阻 SGT MOSFET

在AI算力狂飆突進、終端用電設備功率屢創新高的今天，“高功率密度”與“極致效率”已成為電源設計的核心需求。然而，在有限的板級空間內，如何有效控制溫升、降低損耗，成為了擺在每一位電源工程師面前的難題。

面對這一行業痛點，瑤芯微電子憑借深厚的工藝積累與卓越的器件設計能力，正式重磅推出新一代（G5平臺）100V SGT MOSFET系列產品。

該系列產品覆蓋 1.9mΩ、2.1mΩ、4.6mΩ 等多個規格，采用緊湊的 PDFN5*6 封裝。其中，AK2G10N019GAL憑借超低導通電阻與極佳的動態特性，成功打破了100V高端功率器件長期被國際巨頭壟斷的局面。

一、卓越性能，劍指BIC(Best In Class)

在高頻、高功率密度應用領域，如何平衡導通損耗（Ron）與開關損耗（Qg/Coss）是考驗功率器件技術底蘊的試金石?，幮?00V SGT新一代G5技術平臺，交出了一份驚艷的答卷。

以AK2G10N021GAM-H(100V, 2.1mΩ max) 為例，對其性能指標進行全方位實測驗證：

1. 突破極限的超低導阻 (Rdson)：

AK2G10N021GAM-H典型導通電阻僅為 1.66mΩ，更低的 Ron 意味著在額定大電流工況下，能顯著降低導通損耗，大幅提升整機效率，同時讓器件工作溫升更低，從容應對散熱挑戰。

2.極佳的輸出電容 (Coss)，第三代半導體的完美搭檔：

在維持超低導阻的同時，Coss 特性優異（典型值 2285pF）。這保證了系統在輕載下依然擁有出色的效率表現。尤為值得一提的是，該特性使其極度契合搭配 GaN / SiC 等寬禁帶半導體進行高頻開關工作。

3. 卓越的柵極電荷 (Qg) 表現：

Qg 表現優秀（典型值 85nC），具備更低的驅動損耗，帶來更優的待機功耗表現。

核心總結： 瑤芯100V SGT G5系列在核心參數上實現了業界卓越水平，在PDFN5*6 封裝下，將100V耐壓的內阻下探至1.9mΩ，這在目前的國產功率器件生態中具有極強的稀缺性，標志著瑤芯在SGT工藝上實現了真正的代際領先。

二、 直擊前沿應用，解決設計痛點

憑借強大的綜合性能，瑤芯新一代 100V SGT 產品矩陣能夠完美適配各類嚴苛的高功率應用場景：

1.AI數據中心 BBU電源（Buck-Boost 拓撲）

AI 算力狂飆的背后，是對供電系統極致的可靠性與效率要求。在 BBU的Buck-Boost充放電電路中，我們的產品能有效抑制高頻開關帶來的開關損耗，并憑借極低熱阻特性，在密集的服務器機柜環境中保障電力傳輸的穩定與高效

2.微型逆變器與戶用儲能

在新能源領域，100V SGT 完美適配微逆的 DC-DC 升壓前級以及戶儲系統的雙向變換器中，優異的 FOM 值（Ron * Qg）助力系統輕松突破 98% 甚至更高的轉換效率

3.高功率密度 PD 快充電源（同步整流應用）

隨著百瓦級、甚至兩百瓦級移動設備快充的普及，副邊同步整流管承受著巨大的電流應力?，幮?1.9mΩ / 2.1 mΩ SGT 能夠將導通損耗降至最低，無需傳統的兩并聯方案，節省PCB空間，輕松實現電源模塊的小型化與超薄化設計

4.輕型電動車及高端電動工具電機驅動

面對兩輪電動車、大功率無刷直流電機等應用中的大電流堵轉和頻繁啟停工況，瑤芯PDFN5*6 封裝不僅提供了極佳的散熱基石，強大的電流雪崩耐量也為電機驅動提供了堅不可摧的可靠性

三、100V產品矩陣

目前瑤芯 100V 產品矩陣已圍繞1-2mΩ、2-5mΩ、5-10mΩ、10-20mΩ及20-100mΩ多個導阻區間完成布局，并提供TOLL、DFN3X3、DFN5X6、TO-263、TO-220、TO-252、SOP-8、SOT-23等多種封裝規格，整體覆蓋范圍較廣。

其中，DFN5X6、TO-220、TO-252等封裝下的型號分布相對更豐富，能夠更好滿足PD快充、電源模塊、儲能及低壓電驅等不同場景對體積、散熱和功率等級的差異化需求。

充電頭網總結

從此次發布的100V SGT MOSFET系列來看，瑤芯正進一步補強其在高性能功率器件領域的產品布局。針對PD快充、AI數據中心、微型逆變器、戶用儲能以及低壓電驅等應用對低損耗、高功率密度和熱設計能力的要求，這一代產品在導通電阻、Qg、Coss及封裝適配性等關鍵維度上都展現出較強競爭力。

其中，AK2G10N019GAL在PDFN5×6封裝下實現100V耐壓與低導通電阻組合，體現出瑤芯在SGT工藝平臺上的持續進步，也為國產100V高性能MOSFET在高端應用市場的進一步拓展提供了更多可能。

對于正在推進高效率、小型化方案設計的電源廠商來說，瑤芯這代產品也帶來了新的器件選擇。