M31攜手臺積電完成 eUSB2V2 在 N2P 工藝流片，強化先進工藝設計 IP 生態系統

新竹2026年4月23日--全球硅知識產權（IP）領導供應商 M31 円星科技（M31）今日于 2026 年臺積電北美技術研討會宣布，其 eUSB2V2 接口 IP 已于臺積電（TSMC）N2P 工藝完成流片（Tapeout）。M31 表示，該成果展現公司在先進工藝接口IP的投入，并將強化 2 納米世代的設計，支援客戶于高整合 SoC 中導入高速、低功耗的連結接口。

M31攜手臺積電完成 eUSB2V2 在 N2P 工藝流片，強化先進工藝設計 IP 生態系統

隨著先進節點演進，SoC 朝更高計算密度與更嚴苛能效（Energy Efficiency）目標邁進，I/O 接口除了需滿足高速傳輸與相容性，必須在更低工作電壓與更緊縮的功耗預算下，維持穩健的訊號品質與可制造性。M31 本次完成流片的 eUSB2V2，是針對 TSMC N2P 平臺特性進行設計、電路與布局（Layout）層級的協同優化，以提升整體效能與功耗效率，并兼顧面積使用效率與系統整合彈性。

技術重點方面， 在與既有 USB 2.0 生態系統相容的前提下，支援 1.2V/0.9V 低電壓操作，通過強化類比前端設計，包含導入可編程傳輸去加重（De-emphasis）與接收端 CTLE/VGA 等化技術，顯著提升在先進工藝下傳輸通道的穩健性與設計彈性。在性能表現上，eUSB2V2 最高可支援 4.8 Gbps(HS10) 傳輸速率，并通過全新的等時傳輸突發機制 (Isochronous Burst) 提高同時傳輸的效率。eUSB2V2支援非對稱頻寬的 HSUx/HSDx 模式，預期在標準操作模式下達成 50mW 的極佳功耗表現。搭配N2P 工藝，尤其適合 AI、HPC 與移動設備等追求高效能與低功耗平衡的應用。

針對此次在 N2P 平臺的成果，M31 總經理張原熏指出："2 納米接口 IP 需貼合工藝平臺，方能提升設計效率，并加速上市時程"，他進一步分享："M31 此次完成eUSB2V2 IP 于 TSMC N2P 工藝的流片，正是以平臺導向為核心，協助客戶更有效率地導入關鍵接口、縮短從設計推進到量產準備的時間，并強化 2 納米節點的整體競爭力。"

M31 強調，本次能達成流片的里程碑，來自與 TSMC 在先進工藝 IP 開發的密切合作，包括依循平臺設計方法學、針對工藝與 I/O 條件進行電路與布局層級的調校，并配合平臺設計參考流程。在 TSMC 先進節點上驗證的 IP，有助于提高M31與 TSMC 之共同客戶提升接口整合、系統驗證和產品進度計劃的效率。

展望未來，M31 規劃將本次 2 納米 eUSB2V2 IP 的開發經驗延伸更多 TSMC 的先進工藝，并持續支援AI、邊緣運算與智能終端等成長動能，同時提升IP 平臺之長期價值。