復旦教授曾評價國產光刻機：不避諱地說，跟國外有近20年的差距

近兩年，伴隨中美科技博弈持續(xù)升級，國產光刻機話題不斷刷屏。復旦大學沈逸教授曾在一檔訪談節(jié)目中直言：國產光刻機大致相當于浸潤式的前一代——干式技術，"跟ASML去比，毫無疑問差不多就是人家10年、20年前的設備水平，這沒有什么好避諱的"。

但他也指出，問題的關鍵不在于"差距有多大"，而在于這臺設備是用多長時間、采用非美工藝和產業(yè)生態(tài)做出來的，這本身就極具戰(zhàn)略價值。

很多人忽略了一個事實：ASML的光刻機也并非荷蘭一家公司獨立完成，鏡頭來自德國蔡司，光源技術源自美國，其他大量零部件也鑲嵌著美國元素。而中國的干式氟化氬光刻機是地地道道的"非美供應鏈"產品——美國想要靠"長臂管轄"延伸制裁，根本無從下手。

它的指標也并非外界想象的那么"雞肋"：分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm，可穩(wěn)定制造55nm芯片，借助多重曝光技術在極限工況下還能下探到40nm。

用在智能手機SoC上確實不夠看，但要知道——美國卡中國脖子的最大理由是芯片用于軍事，而真正主導軍用芯片的恰恰是65nm、90nm這類成熟制程，并非輿論場里被反復炒作的5nm、3nm。從這個角度看，這臺設備已經把美國"軍用芯片斷供"這張牌的含金量削掉了大半。

進入2024年以來，荷蘭政府在美國施壓下進一步收緊了對華DUV光刻機的出口許可，ASML甚至宣布對部分已售機型停止耗材供應和軟件維護。

此舉短期內的確造成壓力，但從產業(yè)邏輯看，反而可能復制當年日韓半導體材料之爭的劇情——倒逼國內光刻機產業(yè)鏈、芯片制造配套企業(yè)進入爆發(fā)式增長通道。

回到產業(yè)本身，半導體設備是中國大陸半導體突破必須啃的硬骨頭。當前，中國大陸完全自主的設備能支撐90納米制程，這是目前的極限。

部分新聞提到的中芯國際14納米工藝，實際上依賴美國技術核心，并非完全自主；而所謂的五納米工藝瓶頸突破，多是指蝕刻機，其難度和利潤遠不如高端光刻機。沒有光刻機的突破，蝕刻技術再先進也無法實現(xiàn)高端芯片生產。

光刻機的技術壁壘到底有多高？首先卡在精度。ASML光刻機的校準精度做到了1—2納米，相當于在地球和月球之間架一座橋，而誤差不超過一根頭發(fā)絲的直徑。其雙臺設計讓測量臺與曝光臺之間的誤差仍保持在1—2納米，產能比單機臺高30%，這對24小時連續(xù)生產的晶圓廠至關重要。

其次卡在鏡頭。光刻機的核心鏡頭由20多塊鍋底大小的鏡片組成，需要高純度透光材料和極致拋光精度。ASML的鏡片拋光精度小于0.05納米，由德國蔡司手工打磨——這個誤差放大到荷蘭國土面積，僅相當于1毫米。反觀國內，鏡片廠商前六名均為國外品牌，自主能力明顯不足。

DUV和EUV光刻機之間存在本質區(qū)別。DUV波長193納米，生產14納米芯片需要多次曝光；EUV波長僅13.5納米，無需多次曝光，效率更高，這也是臺積電得以壟斷高端產能的關鍵所在。

EUV的核心難點集中在光源和保護膜兩塊。光源端，激光轉EUV的效率僅0.28%—0.56%，要達到250瓦輸出需要100千瓦激光輸入，這一功率遠超美國海軍激光炮的30千瓦，且必須依靠復雜冷卻系統(tǒng)維持穩(wěn)定性，整個工作環(huán)境還需保持真空。保護膜端，要求超薄透明的同時又能承受機械與熱沖擊，技術至今仍不成熟。

從歷史維度看，EUV研發(fā)始于20年前，美歐日韓累計投入上千億資金，最終由美國主導整合資源，ASML實現(xiàn)量產后，美國轉身就施壓荷蘭禁止其出口給中芯國際——這一幕在2019年之后反復上演。即便中國已經擁有DUV光刻機，在沒有外部成熟工藝協(xié)同的情況下，也很難達到臺積電的水準。

在沒有外部幫助的情況下，5到10年追上國際先進水平已經是相對樂觀的估計，且必須警惕外部環(huán)境變化帶來的反復。

正如任正非所說，修橋修路砸錢就行，芯片不行，得砸數(shù)學家、物理學家、化學家。中國要踏踏實實改變基礎科學，才能真正在半導體領域站穩(wěn)腳。

沈逸教授的話之所以引發(fā)共鳴，正是因為它撕掉了情緒化的濾鏡：承認20年的差距并不丟人，丟人的是看不見差距、繞不開規(guī)律。當長春光機所多年前就完成了EUV曝光臺的技術認證，剩下的事情就是把供應鏈一顆螺絲、一片鏡片地補齊——這條路沒有捷徑，但每一步都算數(shù)。