蘋果芯片，放棄WMCM封裝

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由于DRAM持續(xù)短缺，蘋果為入門級iPhone 18打造的A20芯片將繼續(xù)采用臺積電的InFO封裝，而非先進的WMCM封裝技術(shù)。這一決定反映了供應鏈挑戰(zhàn)對硬件創(chuàng)新造成的影響，并暫時限制了芯片架構(gòu)的靈活性。

據(jù)報道，由于DRAM持續(xù)短缺，蘋果即將推出的A20芯片（將用于iPhone 18入門款）將跳過臺積電先進的WMCM（晶圓級芯片多芯片）封裝技術(shù)。

這一轉(zhuǎn)變凸顯了人工智能公司供應鏈緊張導致的供應鏈制約，正迫使蘋果等行業(yè)領軍企業(yè)縮減其雄心勃勃的硬件計劃。此前，A20 預計將從臺積電的 InFO（集成扇出型）封裝過渡到 WMCM，這是一種模塊化封裝方式，可實現(xiàn)靈活的 CPU/GPU 核心配置。

WMCM技術(shù)允許將芯片組（更小、更專業(yè)的組件）按不同比例組合，從而針對不同層級的設備優(yōu)化性能和能效。例如，高端iPhone機型可以配備更多GPU核心，而入門級機型則優(yōu)先考慮CPU效率。然而，WCCFTech援引爆料人Jukun在X論壇發(fā)布的消息稱，蘋果將保留A20芯片的InFO芯片，以降低DRAM短缺帶來的風險。DRAM短缺已經(jīng)擾亂了全球電子產(chǎn)品制造業(yè)。

這一決定凸顯了即使是垂直整合程度最高的科技公司，在半導體供應波動的情況下也同樣脆弱。盡管蘋果在創(chuàng)新方面仍保持市場領先地位，但A20的設計體現(xiàn)了其優(yōu)先考慮的是切實可行的方案，而非風險更高、成本更昂貴的技術(shù)革新。臺積電的WMCM技術(shù)雖然前景廣闊，但需要與存儲器供應商進行復雜的協(xié)調(diào)，而鑒于人工智能公司正在大量搶購芯片，在當前環(huán)境下，這種協(xié)調(diào)變得相當困難。

對消費者而言，這意味著入門級 iPhone 18 可能缺乏競爭對手芯片所具備的架構(gòu)靈活性，至少在初期階段是如此。不過，一旦供應穩(wěn)定，蘋果未來可能會在 A 系列或 M 系列芯片中采用 WMCM 架構(gòu)。此舉也引發(fā)了人們對其他廠商將如何應對類似限制的疑問，尤其是在人工智能和高性能計算需求激增的情況下。

什么是 WMCM？

傳統(tǒng)MCM（多芯片模組）主要是基于PCB 或陶瓷基板的組裝，其互連密度受限于基板的物理特性。而WMCM 則是直接在矽晶圓或玻璃晶圓上進行多芯片的整合。這意味著互連密度從微米級跳躍到了亞微米級。 WMCM 的核心在于「晶圓級」這三個字，它代表了使用微縮光影設備、薄膜沉積與化學機械研磨（CMP）等前端制程技術(shù)來完成封裝。

在工業(yè)5.0 的目標下，WMCM 是實現(xiàn)「系統(tǒng)級芯片（SoC）」向「系統(tǒng)級封裝（SiP/SiS）」轉(zhuǎn)型的關鍵載體。這種架構(gòu)演進讓設計者可以將不同功能的Chiplet 分拆開來，分別使用最合適的制程節(jié)點制造（例如. 運算核心用2nm，I/O 用6nm），最后再透過WMCM 技術(shù)在晶圓級別完成合體。這不僅大幅降低了開發(fā)成本，更解決了巨型芯片良率過低的問題。理解WMCM 的定義，是掌握當前高效能運算（HPC）技術(shù)的關鍵，為后續(xù)探討CoWoS 等特定技術(shù)路徑鋪平道路。

晶圓級互連密度：利用RDL（重布線層）實現(xiàn)極細間距（Pitch），將芯片間的通訊延遲降至最低。

異質(zhì)整合(Heterogeneous Integration)：支持將不同來源、不同制程、甚至不同材料（如GaAs 與Silicon）的芯片封裝在同一模組。

小芯片(Chiplet) 商業(yè)模式：將大型設計拆分為小模組，提升單一Wafer 的良率產(chǎn)出，降低因單一瑕疵導致整顆昂貴芯片報廢的風險。

電氣性能的極致化：縮短芯片間的物理路徑，減少信號衰減與功耗，滿足AI 推論與訓練的高頻寬需求。

WMCM 已經(jīng)成為高效能運算設備的標準配置，這代表了「半導體前段」與「后段」界線的消失。我們認為，WMCM 的核心價值，它不僅是封裝技術(shù)的進化，更是制造業(yè)邏輯的重組。這對展現(xiàn)技術(shù)深度至關重要，表示我們不能再用舊有的封裝觀念來理解WMCM，而必須將其視為一種「二維半」或「三維」的空間布局科學。我們強調(diào)「系統(tǒng)層級的優(yōu)化」，這不僅是為了提升速度，更是為了在物理原則的限制下，尋求效能的最大化。你認為WMCM 會進一步向下延伸至更廣泛的消費電子領域嗎？

（來源：編譯自tweaktown）

*免責聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導體行業(yè)觀察。

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