三星電子P5工廠將加快擴建 以擴大HBM的先進DRAM產能

　　【CNMO科技消息】5月8日，CNMO科技從外媒獲悉，三星電子已在上月完成平澤P5工廠第一階段系統密封工程的設備數量審核，預計下半年將正式進入主體施工階段。P5工廠將按照多個階段順序建設，此次進展較此前預期提前約半年。

三星電子平澤區域鳥瞰圖

　　據了解，系統密封工程是為構建半導體制造所需的潔凈室，在天花板結構上安裝過濾器、照明、面板等設備的工序。其潔凈室通過控制溫度、濕度、壓力等環境參數，將潔凈度維持在極高水準，是防止制造缺陷的必要空間，也是工廠建設中最早啟動的環節。

　　P5工廠規劃建設6個潔凈室，共3層結構。其空間規模約為擁有4個潔凈室、2層結構的P4工廠的1.5倍。業界預計，P5與計劃2028年后動工的P6工廠合計產能，將達到現有P1至P4四座工廠的總和水平。P5預計于2028年正式投產，可能設計為可同時容納DRAM、NAND和代工生產線的混合多廠形式。

　　三星電子計劃將P5第一階段建設為1c納米尖端DRAM專用生產線。1c納米工藝的電路線寬約為11至12納米，相比上一代1b納米工藝，在能效和集成度方面均有提升。三星電子將1c納米技術率先應用于第六代HBM4的核心芯片，以實現差異化競爭力。據三星介紹，基于1c納米工藝的HBM4實現了11.7Gbps的傳輸速度，較國際半導體標準組織JEDEC規定的8Gbps標準提升約46%，最高可達13Gbps，滿足英偉達等主要客戶提出的11Gbps以上性能要求。

　　三星電子內存戰略營銷室副社長金在俊在近期財報電話會議上表示，公司HBM銷售額預計同比增長超過3倍，1c納米等最先進工藝確保了產品競爭力。他指出，HBM4的性能規格提升由三星主導，客戶采用其產品后，卓越性能已轉化為實際溢價。

　　三星電子計劃在下一代HBM4E中也采用1c納米核心芯片。HBM4E目標實現每引腳16Gbps速度和4.0TB/s帶寬，預計于第二季度向主要客戶提供首批樣品。為鞏固HBM市場主導地位，三星電子正加速1c納米產能擴張。同樣作為1c納米生產線的P4第四階段和第二階段的潔凈室建設已接近尾聲，預計下半年起主要前工序設備將陸續搬入。

　　半導體行業相關人士表示，平澤P4第四階段和第二階段的潔凈室設備搬入已基本進入收尾階段，P5工廠預計下半年正式啟動施工。