北京
臺灣陽明交通大學(xué)團隊最近放出一篇技術(shù)論文，把傳統(tǒng)晶體管模型和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)擰在了一起，專門解決GAAFET（全環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）的熱感知建模難題。這東西是2nm以下工藝的關(guān)鍵器件，但仿真起來又慢又燒算力。
他們的做法挺直接：把Grove-Frohman的I-V解析式和Meyer的C-V解析式嵌進神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，讓溫度相關(guān)的閾值電壓成為共享參數(shù)，同時把溫度效應(yīng)既寫進網(wǎng)絡(luò)參數(shù)也保留在解析式里。這樣物理約束保住了，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的擬合能力也沒浪費。
論文里提了個細節(jié)——Gummel對稱性測試要過溫度掃描。這是為了確保電流在不同溫度下保持對稱，電路仿真才不會出怪結(jié)果。實驗驗證顯示，用有限訓(xùn)練數(shù)據(jù)就能保持高預(yù)測精度，泛化能力也超出訓(xùn)練條件范圍。
跟業(yè)界常用的BSIM-CMG模型比，這套方法電路仿真速度明顯更快，建模工作量也小一截。作者認為這算是"可擴展、物理可解釋、且制造感知"的先進晶體管建模方案。
論文已發(fā)在IEEE Access，DOI: 10.1109/access.2026.3689756。_tags里還掛了CFETs，看來團隊也在關(guān)注堆疊晶體管的下一步。
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