北京
4月22日，據臺媒《經濟日報》報道，在當前全球NAND Flash面臨嚴重缺貨之際，日本存儲龍頭在產能需求下，主動與中國臺灣晶圓代工大廠聯電接觸，使得聯電計劃攜手半導體IP大廠力旺的相關技術，在聯電日本工廠進行2D NAND 與NOR Flash芯片代工業務。這不僅是聯電多年后重返存儲領域，更將創下臺企史上首度在日本生產存儲芯片的紀錄。
報道援引消息人士透露，這項備受矚目的行2D NAND 與NOR Flash芯片量產計劃將落腳于聯電日本12英寸晶圓廠USJC。該廠前身為富士通三重市12英寸晶圓廠，長期具備邏輯與存儲雙重制造經驗，且深耕車載與工業應用領域多年，被業界視為承接低密度存儲芯片代工的絕佳基地。當前，USJC 的成熟制程極為適合切入45/40納米的MLC NAND 產品，計劃于2026 年下半年展開試產、2027年正式量產。這使得聯電能在不影響主力邏輯代工產能的情況下，靈活調配資源。
至于，這次兩家公司的合作關鍵，在市場上包括鎧俠等一線NAND大廠紛紛退出2D NAND 制造，將資源全力集中于高階3D NAND 發展。然而，2D NAND 與NOR Flash 在車載、工業控制、消費性電子等領域需求依然龐大，且對產品生命周期的要求動輒長達十年以上，導致供應缺口持續擴大。因此，日本NAND大廠著眼于長期供應穩定性與地緣政治風險分散，積極建立替代產能，進而促成了此次合作。
事實上，聯電與力旺一直是長期合作伙伴。兩家公司早期都曾涉足存儲技術領域，隨后才分別轉向邏輯制程和半導體知識產權（IP）方向。雙方的合作淵源可以追溯到早期——聯電將力旺的OTP（一次性可編程非易失性存儲器）技術引入0.18微米及以下制程平臺。此后，2013年，力旺宣布與聯電擴大技術合作，將OTP和MTP技術部署于聯電0.18微米至28納米制程平臺，覆蓋了從成熟到先進的多個制程節點。
2020年，聯電、力旺及其子公司熵碼科技共同宣布，開發全球首個PUF 應用安全嵌入式閃存方案（PUFflash），導入聯電55納米eFlash平臺。 2021 年，力旺與聯電又再宣布，力旺的ReRAM（ 電阻式隨機存取存儲器） IP 已通過聯電40納米認證。直到2023 年，力旺的RRAM IP 也宣布通過聯電22納米超低功耗平臺可靠度驗證，并將合作開發車規級RRAM。
根據Facebook社團JOV 的報導，理論上，邏輯制程無法直接轉換生產存儲制程，但發展到28納米制程的嵌入式非易失性存儲（eNVM） 技術，已能將NOR Flash 結構整合入邏輯電路中。相較于技術門檻更高的3D NAND 或無法互通的DRAM，邏輯晶圓廠轉作2D平面架構的NAND與NOR Flash 是可行性最高的便捷路徑。因此，這次通過“IP＋制程整合” 模式的合作，再能以最少硬件與流程更動，卻能加速良率爬升與技術導入時程情況下，傳出聯電內部正評估以28納米制程轉換生產。
整體來說，聯電近期才宣布下半年起調漲成熟制程代工價格，若能順利搭上這波存儲量價齊揚的熱潮，這將有望成為帶動聯電營運大幅轉變的強大動能。
針對此傳聞，聯電目前表示不予評論，力旺亦尚未做出回應。因此，市場目光已全面聚焦于聯電即將在本月29 日舉行的法說會，期待屆時能對這項存儲代工新業務有更清晰的介紹。
編輯：芯智訊-林子
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