低估中國了？韓媒唱衰中國EUV研發(fā)，殊不知光刻工廠已提上日程

4月韓國主流媒體《韓國先驅(qū)報》高調(diào)斷言：中國十年內(nèi)絕無可能自主研發(fā)出EUV光刻機！

此言一出，輿論場頓時泛起漣漪，部分公眾陷入情緒性擔憂；而真正深耕半導體領(lǐng)域的業(yè)內(nèi)人士卻悄然會心一笑——他們看透了韓媒聚焦的只是“此刻困局”，卻對我國早已悄然重構(gòu)技術(shù)路徑、主動躍遷至全新競爭維度的事實視而不見。

不執(zhí)著于單臺設(shè)備的極限精度突破，轉(zhuǎn)而謀劃打造一座集成化、規(guī)模化、可擴展的“光刻制造中樞”，這場戰(zhàn)略級轉(zhuǎn)向背后，究竟蘊藏著怎樣的技術(shù)縱深與體系自信？中國芯片自主之路，是否正以“體系重構(gòu)”替代“單點追趕”，開啟一場靜默而磅礴的升維突圍？

兩種姿態(tài)，指向同一本質(zhì)

韓媒的悲觀預判，并非全然脫離現(xiàn)實。2026年4月發(fā)布的深度分析指出，中國正同時承受EUV核心工藝斷供與全球高端光刻裝備供應鏈全面收緊的雙重壓力。

美方此前僅限制最尖端EUV整機出口，如今已將所有浸沒式DUV光刻系統(tǒng)納入出口管制清單，并強制荷蘭等技術(shù)合作方須在150天內(nèi)完成同步執(zhí)行。

在他們看來，中國光刻裝備攻關(guān)已非單純技術(shù)問題，而是被地緣規(guī)則層層圍堵后的結(jié)構(gòu)性困局，“十年難產(chǎn)”的判斷，押注的并非科學上限，而是現(xiàn)實約束下的發(fā)展節(jié)奏。

與韓媒略帶戲謔的“篤定唱衰”形成鮮明對照的是，全球唯一EUV供應商ASML正顯露出罕見的戰(zhàn)略緊迫感。其首席執(zhí)行官傅恪禮近期在閉門論壇中坦言：“若持續(xù)施壓倒逼中國加速自研，未來或?qū)⒊霈F(xiàn)我們向中國采購先進光刻系統(tǒng)的局面。”這并非外交辭令，而是基于市場失衡與技術(shù)反制風險的真實警覺。

數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，中國大陸市場占ASML全球營收比重由上一年度末的逾33%驟降至19%，韓國市場則強勢躍升為第一大客戶。

短短一年間，昔日最大采購方滑落至第三位，疊加關(guān)鍵稀土材料出口調(diào)控對其光學元件供應鏈的實質(zhì)性影響，ASML已啟動裁員1700人計劃，并動用巨額資金回購股票穩(wěn)定市值，昔日技術(shù)霸主的從容氣度已然消退。

客觀而言，韓媒的質(zhì)疑確有現(xiàn)實支點——EUV光刻機的技術(shù)復雜度，的確堪比建造一座微型航天器。但他們嚴重低估了一個基本事實：中國從不習慣在他人劃定的軌道上被動競速，更擅長以系統(tǒng)思維重繪賽道、以工程能力重構(gòu)規(guī)則。

EUV究竟難在何處？

為何迄今沒有任何國家能獨立完成EUV光刻機的全鏈條研制？答案令人震撼：這臺被稱作“芯片工業(yè)母機”的設(shè)備，內(nèi)部精密組件超10萬個，每一件均需達到亞納米級制造與裝配標準；即便發(fā)生微小故障，工程師往往需在數(shù)萬條交錯線纜與數(shù)千個接口中連續(xù)排查數(shù)日乃至數(shù)周，方能定位病灶。

ASML的EUV系統(tǒng)實為全球頂尖技術(shù)的集大成者：極紫外光源依賴美國Cymer公司，高數(shù)值孔徑反射式光學系統(tǒng)出自德國蔡司之手，特種復合材料及精密結(jié)構(gòu)件則由日本多家隱形冠軍企業(yè)提供，所有核心環(huán)節(jié)均被西方技術(shù)聯(lián)盟嚴密鎖定。

其精度挑戰(zhàn)更是登峰造極：雙工件臺必須實現(xiàn)毫秒級同步運動——一臺承載晶圓基底，另一臺承載光刻膠掩模，二者位置誤差須長期穩(wěn)定控制在2納米以內(nèi)。正如上海微電子裝備（SMEE）總經(jīng)理賀榮明所比喻：如同兩架滿載客機全程保持編隊飛行，其中一架伸出一枚手術(shù)刀，在另一架飛機舷窗米粒大小的區(qū)域上雕刻電路，且不能產(chǎn)生絲毫劃痕或抖動。

當然，我國并非原地踏步：長春光學精密機械與物理研究所已于2023年成功交付DUV準分子激光光源工程樣機；國望光學研發(fā)的28納米浸沒式物鏡系統(tǒng)已實現(xiàn)小批量穩(wěn)定供貨，正全力攻堅EUV級多層膜反射鏡與超精密鏡架；華卓精科則成為繼ASML之后全球第二家完全掌握納米級雙工件臺動態(tài)協(xié)同控制技術(shù)的企業(yè)。

但必須清醒認知：要組裝出具備量產(chǎn)能力的完整國產(chǎn)EUV系統(tǒng)，仍面臨材料、工藝、軟件、可靠性等多重壁壘的疊加效應。若一味沿襲ASML既有技術(shù)路線追趕，投入產(chǎn)出比將持續(xù)惡化，突破窗口反而日益收窄。

中國三大破局路徑，均已邁入工程化攻堅階段

面對正面攻堅的超高門檻，我國采取極為務實的策略：拒絕孤注一擲，堅持多軌并行，依托基礎(chǔ)研究躍遷撬動產(chǎn)業(yè)范式變革。

當前，三條差異化突圍路徑全部進入可驗證、可量產(chǎn)、可迭代的實質(zhì)性推進期，無一停留在概念或?qū)嶒炇已菔緦用妗?/p>

首條路徑是納米壓印光刻（NIL）技術(shù)路線，一舉打破日本佳能長期主導的格局。

此前佳能NIL設(shè)備分辨率可達14納米，對應傳統(tǒng)邏輯芯片5納米節(jié)點，屬國際領(lǐng)先水平；而國內(nèi)企業(yè)璞璘科技自主研發(fā)的PL-SR系列噴墨步進式納米壓印平臺，已完成原理樣機交付與產(chǎn)線聯(lián)調(diào)測試。

該設(shè)備核心優(yōu)勢突出：整機購置成本僅為EUV光刻機的40%，運行能耗不足其十分之一；雖當前產(chǎn)能密度尚低于ASML EUV（每小時≤100片 vs 175–220片），但在NAND閃存、DRAM存儲芯片、Micro-LED顯示面板等對線寬均勻性要求相對寬松、但對成本與能效極度敏感的應用場景中，已展現(xiàn)出不可替代的產(chǎn)業(yè)化價值。

第二條路徑為電子束直寫光刻（EBL）技術(shù)路線，浙江大學團隊研制的“羲之”光刻系統(tǒng)被譽為“原子尺度刻刀”。

作為我國首臺具備商業(yè)交付能力的電子束光刻設(shè)備，“羲之”系統(tǒng)實現(xiàn)0.6納米定位精度與8納米線寬加工能力，采用無掩模直寫方式，可在硅基或化合物襯底上直接“繪制”電路圖形。該技術(shù)天然適配量子計算芯片原型開發(fā)、新型器件結(jié)構(gòu)驗證及小批量特種芯片試制，目前已進入中試產(chǎn)線部署階段，標志著我國在量子芯片底層制造工具鏈上取得關(guān)鍵自主權(quán)。

最具顛覆性的，則是第三條路徑——光刻工廠（Photolithography Fab）構(gòu)想。當單臺設(shè)備突破遭遇物理極限，我們選擇跳脫“造機器”的思維定式，轉(zhuǎn)而構(gòu)建“光刻基礎(chǔ)設(shè)施網(wǎng)絡(luò)”，這正是中國超大規(guī)模系統(tǒng)工程能力的集中體現(xiàn)。

不爭單機之鋒，而筑體系之基：中國的升維破局邏輯

清華大學工程物理系唐傳祥教授領(lǐng)銜團隊在國際頂級期刊《自然》發(fā)表的關(guān)鍵成果，首次向世界揭示了“光刻工廠”的底層技術(shù)圖譜。

其核心創(chuàng)新“穩(wěn)態(tài)微聚束”（SSMB）光源技術(shù)，徹底顛覆ASML現(xiàn)有架構(gòu)：后者將EUV光源壓縮于單臺設(shè)備內(nèi)，輸出功率僅約250瓦，相當于一個保溫杯的熱能；而SSMB方案則構(gòu)建分布式大型同步輻射光源系統(tǒng)，峰值EUV功率可達10千瓦以上，等效于一座小型水庫的能量儲備，再通過真空波導網(wǎng)絡(luò)將高亮度EUV光分發(fā)至數(shù)十個獨立曝光終端。

這座“光刻中樞”并非傳統(tǒng)意義的設(shè)備集群，而是融合光源、傳輸、曝光、檢測、校準于一體的智能光刻基礎(chǔ)設(shè)施，它不參與單臺光刻機的競爭，而是重新定義光刻制造的組織形態(tài)——ASML賣的是“產(chǎn)品”，我們建設(shè)的是“能力平臺”，從而繞開全部既有專利壁壘與技術(shù)封鎖紅線。

尤為關(guān)鍵的是，該項目絕非學術(shù)構(gòu)想：2022年清華大學即與雄安新區(qū)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議；2023年團隊赴雄安開展實地選址與配套規(guī)劃；2024年10月正式啟動為期兩年的“存儲環(huán)全相干EUV光源關(guān)鍵技術(shù)驗證項目”，覆蓋從加速器注入、微聚束形成到EUV光提取的全鏈路工程驗證，正穩(wěn)步實現(xiàn)從論文成果到國家重大科技基礎(chǔ)設(shè)施的跨越。

我們亦坦承現(xiàn)實約束：“遠水難解近渴”。光刻工廠建設(shè)周期長、投資強度大，無法緩解當前成熟制程擴產(chǎn)與先進封裝升級的迫切需求。

因此，我國采取清晰的“雙軌驅(qū)動”策略：短期錨定DUV光刻機深度國產(chǎn)化與28/14納米成熟制程效能挖潛，通過多重圖形化（MPM）、混合鍵合（Hybrid Bonding）、Chiplet異構(gòu)集成等先進封裝技術(shù)實現(xiàn)性能躍升——例如中芯國際N+2工藝，僅使用國產(chǎn)化率超70%的浸沒式DUV設(shè)備，即可穩(wěn)定產(chǎn)出等效7納米性能的芯片，已成功應用于華為昇騰AI系列處理器；長期則全力保障光刻工廠、納米壓印、電子束光刻三大路徑的資源傾斜與生態(tài)培育，為下一代芯片制造范式奠定不可逆的先發(fā)優(yōu)勢。

換道不盲從，方顯中國芯片的戰(zhàn)略定力

光刻工廠的演進邏輯，與中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)的崛起軌跡高度共振：彼時我們在燃油車“發(fā)動機—變速箱—底盤”三大件上長期受制于人，始終難以突破；轉(zhuǎn)而切入電動化新賽道，依托電池能量密度、電機控制算法、電驅(qū)動系統(tǒng)集成等全棧技術(shù)優(yōu)勢，最終實現(xiàn)全球引領(lǐng)。

今日的半導體攻堅，我們不再與ASML比拼單臺設(shè)備的極限參數(shù)，而是以國家工程能力為杠桿，將“裝備研制”升維為“基礎(chǔ)設(shè)施構(gòu)建”，恰恰激活了我國在超大規(guī)模系統(tǒng)設(shè)計、跨學科協(xié)同攻關(guān)、快速工程轉(zhuǎn)化等方面的獨特稟賦。

韓媒只見中國產(chǎn)業(yè)爬坡期的“當下之難”，卻未見國家戰(zhàn)略縱深中的“全局之謀”。

光刻工廠的落地挑戰(zhàn)固然艱巨，但憑借新型舉國體制下目標導向的資源集聚能力、產(chǎn)學研用一體化的創(chuàng)新組織效率，以及持續(xù)高強度的基礎(chǔ)研究投入，這一宏大構(gòu)想正從藍圖加速變?yōu)楝F(xiàn)實。

一旦建成投運，不僅將重塑全球光刻裝備產(chǎn)業(yè)格局，更將從根本上改寫芯片制造的價值分配規(guī)則——ASML賴以生存的單機壟斷定價權(quán)與技術(shù)依附生態(tài)，或?qū)⒂瓉須v史性瓦解。