光通信“中國鏈”：從材料、代工到模塊

隨著 3.2T 光模塊、量子光芯片等下一代技術加速迭代，硅光集成等技術已成為光通信領域不可逆的主線。日前，2026 九峰山論壇暨中國光谷國際化合物半導體產業博覽會于中國光谷科技會展中心開幕，本屆展會除化合物半導體的賽道外，光模塊與光通信產業成為全場另一大核心主線，產業鏈上下游企業集中亮相，全面展現了國產光通信產業的突破與國產化進程。

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上游核心：關鍵材料與高端測試設備

光模塊的性能升級與規模化量產，高度依賴上游核心材料與高端測試設備的底層支撐，本屆展會集中呈現了國產廠商在這一領域的關鍵突破。

在核心材料層面，磷化銦（InP）襯底是高速光芯片的核心襯底材料，主要用于制備邊發射激光器芯片（如 DFB、EML）與探測器芯片（如 PIN、APD），是實現光信號發射與接收的核心載體，更是 800G、1.6T 及以上超高速光模塊不可或缺的基礎材料。隨著 AI 數據中心向 800G/1.6T 光模塊加速升級，全球磷化銦襯底需求呈指數級增長，供需缺口持續擴大。

本屆展會上，云南鍺業展出了其6英寸磷化銦單晶片等產品。目前，其已實現大尺寸、低缺陷密度、高平整度、超高潔凈表面磷化銦單晶片的規模化生產，可全面保障國內光通訊頭部企業在 5G 基站、數據中心、AI 算力中心等信息基建項目的建設需求；同時在現有年產 15 萬片產能的基礎上，正推進擴產至年產 45 萬片的產能規劃。

隨著 AI 超節點/集群規模的快速增長，單個光模塊的故障/失效將被指數級放大，影響智算系統/集群網絡的可用性、穩定性，光模塊測試從"生產質量保證"升級為"網絡關鍵保障"。單一模塊的故障/失效影響在萬卡以上的集群規模中被指數級放大。光模塊全流程開發與測試能力逼近瓶頸，高端儀器成為產業演進的關鍵保障。

萬里眼在本屆展會上發布了 65GHz 帶寬的 SpWave PS 系列光采樣示波器，實現三大核心技術突破，進一步完善了國產高端光電測試儀器產品矩陣。

其一，測試效率實現跨越式提升，憑借業界領先的 500kHz 采樣率，測試效率較傳統方案提升 100%，可大幅縮短產品生產周期，助力客戶提升光模塊量產能力；

其二，帶寬性能實現代際升級，65GHz 超高帶寬可完美支持單通道 200G 測量，為 1.6T 光通信產業發展筑牢技術底座，同時模塊化架構可支持未來向更高速率演進，保障客戶長期投資價值；

其三，測量精度達到行業領先水平，可實現低至 12μW（典型值）的超低底噪，能夠精準捕捉微弱光信號，為產品高質量生產與交付提供支撐。該系列產品支持高達 120GBaud 信號速率，ADC 分辨率達 16bit，可充分滿足企業與科研機構的 1.6T/800G 光模塊研發與測試需求，同時作為嚴格校準的接收機，可保障測試結果完全符合行業標準。

這也是萬里眼繼 2025 年 10 月發布 90GHz 超高速實時示波器后，在高速光電測試領域的又一關鍵突破。現場工作人員介紹，長期以來，該賽道的全球市場龍頭為是德科技。此前泰克、力科等國際測試測量巨頭也曾布局相關產品，但受限于早期光模塊行業規模有限，光采樣示波器細分市場體量偏小，上述企業逐步裁撤了相關業務線。近年來，隨著高速光模塊市場迎來爆發式增長，光采樣示波器的市場需求快速拉升。

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中游制造：硅光代工與中試平臺

全球前十大光模塊廠家中，有七家為國內企業，但國內長期缺乏成熟的硅光芯片量產制造線，導致多數企業依賴國外代工，供應鏈安全風險突出。本屆展會清晰展現，國內企業正加速填補這一產業空白，從規模化量產線到研發中試平臺，國產硅光制造能力逐漸實現突破。

蘇州星鑰光子科技有限公司由長光華芯、亨通光電、東輝光學等行業龍頭企業于 2025 年 5 月聯合發起設立，是中國首家專業硅光集成芯片量產工廠（Foundry）。作為本屆展會參展商之一，星鑰光子將建設以8英寸90nm制程為基礎的硅光產線和異質異構集成平臺，為國內激光器、硅光芯片、電芯片等企業搭建協同創新平臺與產業鏈，推動上下游協同發展，全面服務光通信、光互聯、光傳感、光顯示、光計算等前沿領域和市場。一期項目已于2026年3月建成，計劃2027年初投產，2029年達到盈虧平衡，并將在2030年項目達成時，形成60000片/年的產能。項目總投資50億元，一期投資12億元，計劃于2026年底完成通線。

除規模化量產線外，國內光子芯片研發中試能力也實現了關鍵落地。上海交通大學無錫光子芯片研究院（CHIPX）由上海交通大學、無錫濱湖區、蠡園經濟開發區三方共建，是企業化運營的新型研發機構，已建成國內首條光子芯片中試線。研究院聚焦芯、光、智、算領域的成果轉化與創業孵化，構建了 “研究院 + 孵化 + 基金” 三位一體的工研院模式，致力于打造全球領先的光子芯片產業高地。目前，研究院擁有 17000㎡研發中試面積、110 余臺 CMOS 工藝設備，組建了 35 人以上的科研專家團隊與 200 人以上的工藝研發團隊，可提供 110nm 工藝制程及 6/8 英寸全流程流片服務，同時可開展單步工藝與定制工藝的技術開發與驗證工作。

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下游終端：光模塊產品與核心光芯片器件

作為產業鏈的核心終端環節，國產廠商在超高速光模塊、核心光芯片領域實現多點突破，多款面向下一代技術的產品集中亮相，全面展現了國產光通信產業的終端競爭力。

在光模塊整機領域，華工正源擁有光通信行業領先的一站式垂直集成解決方案，具備從芯片到器件、模塊、子系統全系列產品的研發與規模化量產能力，產品覆蓋超高速光模塊、銅連接模塊、智能車載光、衛星通訊光模塊等多個領域，廣泛應用于 AI 算力、全球無線通信等核心場景。本屆展會，華工正源集中展示了多款前沿產品與解決方案，包括面向 CPO/OCI-MSA 應用的量子點光頻梳外置光源、面向 3.2T CPO 應用的密集波分復用外置激光源 (ELSFP)、6.4T NPO 光模塊、100G 星載光模塊等。

其中，面向 3.2T CPO 應用的密集波分復用外置激光源 (ELSFP) 基于全球領先的硅光 (SiPh) 平臺，集成量子點光頻梳激光芯片，是專為 3.2T CPO 架構打造的高性能外置光源 (ELS)。該模塊工作于 O 波段，支持 100GHz 及 200GHz 信道間隔，兼容 OCI-MSA 和 CW-WDM MSA 協議，可與共封裝光學及高密度波分系統實現無縫適配；憑借領先的芯片集成工藝與功耗優化技術，在實現多波長并行輸出的同時，將整機功耗降至 5.5W 以下。而 100G 星載光模塊專為星內多通道超寬帶數據通信打造，支持 100G 以太網傳輸，采用 850nm 波長，可在-40℃~85℃寬溫環境下穩定工作，具備低延時、低功耗、小體積、輕量化、抗干擾能力強、發射成本低等優勢。其6.4 T的NPO模塊，單個port口32通道，單通道200G，總共16個port口。

此外，據工作人員透露，公司正在開發CPO產品，產品的光引擎（OE）配合外置激光光源，其前面板類似交換機可直接插拔替換。相較于傳統CPO，外置光源的優勢是維護成本低，光源壞了直接拔掉更換即可，避免集成式光源損壞導致整個單板報廢。

OEM/ODM/JDM 一站式服務商 mentech，在本屆展會上展示了通信領域全場景定制化解決方案，可提供面向國內外運營商的 JDM 服務、面向分銷商的 ODM 服務，以及面向品牌商的 OEM 服務。工作人員透露，2026年Q3將推出3.2T的NPO光模塊和800G DR8 LPO光模塊。

在核心光芯片領域，國產廠商也實現了關鍵技術突圍。垂直腔面發射激光器（VCSEL）作為半導體激光器的核心品類，激光發射方向垂直于芯片表面，與傳統邊發射激光器（EEL）沿芯片邊緣發射的技術路徑不同，具備低閾值電流、圓形光斑、光束質量好、易于二維陣列集成、調制速率高、測試成本低等顯著優勢，是數據中心短距離光互連的核心器件。

國產高速 VCSEL 芯片領跑者華芯半導體，累計交付在網運行芯片超 7000 萬顆，本屆展會帶來了兩款核心產品：

• 一款是850nm 1*4 112G VCSEL芯片，支持 850nm 多模激光輸出，可實現 112Gbit/s PAM4 調制速率；
• 另一款是850nm 1*4 56G VCSEL芯片，支持 850nm 多模激光輸出，可實現 56Gbit/s PAM4 調制速率，該產品已累計交付15kk+通道。

海思則在本屆展會上展出了全系列聯接/計算光芯片產品，包括

• 相干DBR，窄線寬可調，單芯片C+L，240波可調，50kHz線寬；
• 高速EML/PD，有400/200/100/50Gbps等規格，帶寬超 110GHz，RIN 值低于-152dB/Hz；
• CW光源，有400/200/100/80mW等規格，制冷功率超 400mW，非制冷功率超 200mW，具備高功率，高可靠性的優勢。

整體來看，從上游核心材料、高端測試設備，到中游硅光代工制造平臺，再到下游光模塊整機與核心光芯片，國產光模塊產業鏈已實現全鏈條多點突破。而硅光集成技術的加速落地與國產化的持續深化，也將為我國光通信產業在全球下一代技術競爭中，筑牢長期發展的核心競爭力。