北京
芯片行業正在經歷一場靜默的范式轉移。性能提升不再靠晶體管密度單打獨斗，先進封裝——2.5D、3D-IC、芯粒、異構集成——成了新的主戰場。這些架構是AI和高性能計算的剛需，但也把供電問題推到了系統設計的核心位置。
變化最劇烈的不是規模，而是連接密度：更多裸片、更多供電域、更多垂直互連、更高的電流密度。這迫使行業重新思考供電完整性（PI）——從局部問題變成系統級學科。
傳統2D芯片的供電網絡基本是平面的，電流橫向流動，噪聲行為相對局部化。3D-IC則完全不同：垂直堆疊的供電路徑橫跨多個裸片、硅中介層、微凸點、硅通孔（TSV）和封裝基板。這種架構帶來了三類新挑戰。
第一，非局部效應。AI負載需要瞬時大電流，電壓裕量卻在不斷收緊。一處的供電擾動會影響另一處的時序、信號完整性和可靠性。供電問題不再是"每顆裸片自己的事"，而是三維尺度的系統問題。
第二，密度帶來的失效模式。現代系統可能有數萬個微凸點、密集的TSV陣列、快速增長的VDD和VSS連接。這暴露了新的風險：微凸點電遷移、TSV熱機械應力、供電網絡與信號網絡耦合、封裝級電壓塌陷。AI/ML系統的負載特性讓問題更棘手——突發計算、加速器喚醒、快速電流瞬變，最壞情況難以用靜態或近似模型預測。
第三，電熱耦合。TSV和硅中介層不再只是配角，它們同時承擔供電和散熱職能。當TSV數量達到數萬級、中介層電流密度持續攀升，電遷移、焦耳熱、熱梯度誘發的機械應力同時出現。電驅動溫度，溫度又改變電特性——3D-IC的供電完整性本質上是電熱問題，不是純電氣問題。
電壓裕量持續收窄的背景下，供電精度直接決定性能、良率和上市時間。這解釋了為什么EDA工具、代工廠和系統廠商都在重新投資供電分析——不是錦上添花，是生死線。
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