山東
IT之家 5 月 8 日消息，英諾賽科今日宣布，美國國際貿易委員會（ITC）在第 337?TA?1414 號調查中作出最終裁定，確認英諾賽科當前的氮化鎵 GaN 功率器件產品未侵犯英飛凌的相關專利，并可不受限制地繼續在美國進口和銷售。
IT之家注：英諾賽科是一家總部位于珠海的氮化鎵類器件制造商，產品包括高低壓氮化鎵電源 IC、功率半導體等。2024 年底，英諾賽科在香港聯合交易所主板掛牌上市，標志著國內氮化鎵半導體第一股誕生。
▲ 英諾賽科氮化鎵產品
ITC 全體委員一致同意英諾賽科現有產品未侵犯英飛凌的美國第 9,070,755 號專利（涉及電極設計）和第 9,899,481 號專利（涉及封裝設計）。
英諾賽科表示，委員會僅認定第 9,899,481 號專利中的兩項權利要求有效且僅被英諾賽科早已停止生產和銷售的歷史舊產品侵權。因此，相關的進口和銷售禁令對英諾賽科在美國的現有業務不具有實質影響。英諾賽科將繼續不間斷地向美國及全球客戶供應其現有的 GaN 功率產品。
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