作者:毛爍
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新能源汽車的電氣化競速,已正式進入“下半場”。
當(dāng)整車電子電氣架構(gòu)向400V乃至800V高壓平臺躍遷,第三代半導(dǎo)體(如SiC)的加速上車,主電機驅(qū)動系統(tǒng)正面臨著前所未有的嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。
從關(guān)鍵性角度來看,主電驅(qū)的控制器(驅(qū)動板)是控制這顆心臟的“大腦”,而其中的核心部分正是MCU與隔離驅(qū)動芯片。在過去很長一段時間里,由于主驅(qū)系統(tǒng)對安全性、可靠性的要求極為苛刻,中高端單管智能隔離驅(qū)動市場幾乎是歐美巨頭的“天下”。
然而,高壓化與高頻化帶來的技術(shù)鴻溝,以及國內(nèi)主機廠對“降本”與“全本土供應(yīng)鏈”的渴求下,正為本土模擬芯片廠商撕開一道突破口。
最近,上海川土微電子股份有限公司(Chipanalog,后文稱“川土微電子”)量產(chǎn)的CA-IS3265/6-Q1系列單通道功能安全ASIL-C(D)隔離柵極驅(qū)動器,正是一次具有代表性的本土化突破。
01 “狂飆”的SiC遇上嚴(yán)苛的功能安全
在深入解析技術(shù)之前,我們需要先厘清當(dāng)前新能源主電驅(qū)系統(tǒng)究竟在經(jīng)歷怎樣的“陣痛”。
傳統(tǒng)的新能源車電驅(qū)方案中,隔離驅(qū)動甚至還采用過不帶保護功能的QM方案。但時至今日,單電機車型通常需要6顆功率管驅(qū)動,雙電機則高達(dá)12顆,且面臨著三大極為棘手的行業(yè)痛點:
痛點一是第三代半導(dǎo)體帶來的“噪聲”挑戰(zhàn)。為了提升開關(guān)功率密度和整車效率,SiC-MOSFET正在加速替代傳統(tǒng)硅基IGBT,成為新一代電驅(qū)系統(tǒng)的核心器件。
但是,碳化硅器件在耐壓能力和開關(guān)速度提升的同時,也帶來了更強的高頻開關(guān)噪聲,尤其是高dV/dt條件下的共模干擾,遠(yuǎn)比傳統(tǒng)硅器件更難處理。川土微電子相關(guān)負(fù)責(zé)人提到,如果隔離驅(qū)動的抗噪能力不足,錯誤信號很容易耦合到原邊,進一步傳遞到功率器件的Gate端,導(dǎo)致無意開通,甚至出現(xiàn)上下管直通炸管。這意味著,隨著 SiC-MOSFET 大規(guī)模上車,隔離驅(qū)動芯片的共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI),已經(jīng)成為電驅(qū)系統(tǒng)設(shè)計中必須解決的核心指標(biāo)。
痛點二是功能安全“裸奔”。現(xiàn)在,新國標(biāo)持續(xù)收緊,主機廠對電驅(qū)系統(tǒng)功能安全的要求越來越高。新一代量產(chǎn)平臺普遍要求達(dá)到 ASIL-C 甚至ASIL-D級別,這原先是高端車型的加分項,現(xiàn)在已經(jīng)變成了平臺開發(fā)的基礎(chǔ)門檻。
具體來看,功能安全的核心,在于系統(tǒng)失效之后依然可控。所以,無論是主模塊故障后的冗余接管,還是故障發(fā)生時快速診斷反饋,本質(zhì)上都要求系統(tǒng)具備完整的保護鏈路和可靠的備份機制。這對隔離驅(qū)動提出了更高要求。其不僅要完成基礎(chǔ)驅(qū)動功能,還需要承擔(dān)短路保護、過溫保護、欠壓保護、故障診斷、狀態(tài)反饋等一整套安全職責(zé)。
然而,傳統(tǒng)“主控MCU+低端驅(qū)動+大量外圍分立保護器件”的方案,隨著系統(tǒng)復(fù)雜度不斷提升,問題也越來越明顯——體積大、設(shè)計復(fù)雜、認(rèn)證周期長,器件數(shù)量的增加也推高了系統(tǒng)失效率,功能安全很難真正做到可驗證、可閉環(huán)。
痛點三是系統(tǒng)級降本與“高壓信息孤島”矛盾。在400V/800V高壓模組中,必須在傳統(tǒng)高壓器件與低壓側(cè)的控制MCU及接口之間實現(xiàn)安全的功能隔離。但同時,MCU又需要時刻掌握高壓側(cè)的母線電壓和功率管溫度。為了采集這些數(shù)據(jù),過去往往需要額外增加高精度的隔離采樣芯片,導(dǎo)致BOM(物料清單)成本居高不下,這在當(dāng)下極致“內(nèi)卷”的車市中顯得格格不入。
02 CA-IS3265/6-Q1的“高能”技術(shù)底色
面對“挑戰(zhàn)三重門”,川土微電子打磨出的CA-IS3265/6系列隔離柵極驅(qū)動器,展現(xiàn)出了硬核實力。
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這是一款專門面向汽車高壓系統(tǒng)逆變器和DC-DC場景設(shè)計的高性能器件,核心目標(biāo)就解決高壓隔離、功能安全和系統(tǒng)降本三大難題。
一方面,CA-IS3265/6-Q1系列擁有極強的隔離耐壓能力與先天抗擾度(CMTI>150kV/μs)。在高壓域里,電氣隔離是絕不能妥協(xié)的底線。CA-IS3265/6具備增強絕緣能力,支持高達(dá)5.7kVrms的隔離耐壓能力,以及12.8kVpk電絕緣/瞬態(tài)浪涌隔離能力。即使在長期工作條件下,也能支持持最高2121Vpk等級的SiC MOSFET和IGBT應(yīng)用。
針對碳化硅帶來的高頻噪聲問題,川土微電子在芯片設(shè)計階段重點優(yōu)化了原副邊電容(Cm)的抗干擾能力,同時提升了電源芯片供電的動態(tài)響應(yīng)和濾波能力。軟硬件協(xié)同之下,CA-IS3265/6-Q1的共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的>150kV/μs。
該指標(biāo)的意義是,其能讓芯片具備更強的先天抗擾能力,更大限度避免高頻噪聲耦合導(dǎo)致的誤導(dǎo)通風(fēng)險,從源頭提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。
另一方面,CA-IS3265/6-Q1系列的高集成度帶來了系統(tǒng)級降本。這也是CA-IS3265/6與傳統(tǒng)隔離驅(qū)動方案拉開差距的關(guān)鍵。過去,隔離驅(qū)動更多只是完成開關(guān)動作,而這顆芯片內(nèi)部直接集成了一個12Bit高精度Sigma-Delta ADC,精度達(dá)到±1%,典型測量誤差TUE小于12mV,線性輸入范圍覆蓋0.4~3.2V。
這意味著,系統(tǒng)可通過驅(qū)動芯片內(nèi)置ADC完成溫度或母線電壓采樣;在三相逆變器多顆驅(qū)動器配置下,可按高低邊位置分配采樣功能。
相比以前需要額外增加高精度隔離采樣芯片來完成的工作,現(xiàn)在可以直接在驅(qū)動端完成。主機廠不僅能夠減少外部器件數(shù)量,降低BOM成本,也能同步提升系統(tǒng)可靠性和布板效率,實現(xiàn)真正意義上的系統(tǒng)級降本。
此外,CA-IS3265/6-Q1系列還擁有完整且嚴(yán)密的功能安全機制。在功能安全層面,川土微通過了ISO26262認(rèn)證。CA-IS3265/66也集成ASIL C(D)功能安全特性,符合ASIL C開發(fā)流程,并可用于最高ASIL D等級的安全相關(guān)應(yīng)用。在驅(qū)動性能上,最大峰值輸出電流可達(dá)20A,傳輸延遲典型值僅為90ns。
在保護能力上,芯片支持DESAT退飽和保護(IGBT 9V/SiC 6V雙標(biāo)準(zhǔn))、內(nèi)置5A有源米勒鉗位,以及短路故障期間的內(nèi)部固定軟關(guān)斷(400/900mA)。
更重要的是診斷機制的設(shè)計。業(yè)內(nèi)常見方案通常需要額外增加外部安全機制進行PWM校驗,而川土微電子將端到端PWM校驗機制直接集成進芯片內(nèi)部,減少外圍復(fù)雜度。同時,該芯片還優(yōu)化了輸入互鎖邏輯。當(dāng)輸入端INP和INN同時懸空或短路時,輸出會被強制拉低到確定的低電平狀態(tài),避免異常誤觸發(fā),確保系統(tǒng)始終處于可控、安全的工作狀態(tài)。
03 差異化博弈:A/B/C定制版本滿足“千人千面”
除了功能差異化,川土微電子還強調(diào)聚焦客戶用場景,而不是用一款標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品覆蓋所有需求。
其實,在中高端主驅(qū)市場,國際巨頭長期依靠標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品占據(jù)主導(dǎo)地位。但對于主機廠和Tier1而言,不同平臺、架構(gòu),以及安全策略,對隔離驅(qū)動芯片的需求往往并不相同。無論是軟關(guān)斷策略、副邊安全機制,還是溫度采樣方式,細(xì)節(jié)差異都非常明顯,“一刀切”的產(chǎn)品很難真正適配復(fù)雜的量產(chǎn)需求。
所以,川土微電子在設(shè)計階段,就針對這些差異做了功能解耦,推出了A、B、C三個不同尾綴版本,用更精準(zhǔn)的產(chǎn)品形態(tài)去匹配不同客戶場景。
“A版”聚焦兼容性與軟關(guān)斷調(diào)節(jié)。這一版本最大的特點,是將PIN14定義為SOFF軟關(guān)斷。工程師可以通過外部電阻靈活調(diào)節(jié)軟關(guān)斷能力,在電壓尖峰控制和開關(guān)損耗之間找到更合適的平衡點。
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更重要的是,A版在管腳排列上可以直接兼容國際大廠的競品料號,為客戶提供無縫替換的本土化備選方案。對于已經(jīng)量產(chǎn)的平臺來說,這意味著無需大規(guī)模修改硬件設(shè)計,就可以完成本土化替代,大幅降低遷移成本和驗證周期。
“B版”聚焦副邊ASC主動短路控制優(yōu)化。在高等級功能安全系統(tǒng)中,高壓側(cè)通常需要副邊ASC功能,也就是在低壓側(cè)供電失效時,讓系統(tǒng)快速進入安全狀態(tài)。而傳統(tǒng)方案里,客戶往往需要額外增加三個分立隔離器,去控制副邊ASC引腳,不僅成本高,系統(tǒng)復(fù)雜度也明顯增加。
CA-IS3265/6-Q1 B版將PIN17重新定義為DOUT引腳。當(dāng)原邊掉電時,DOUT會自動輸出高電平,可直接驅(qū)動FS3(ASC)引腳。
這個看似很小的設(shè)計調(diào)整,實際上直接省掉了多顆外圍分立器件,在提升系統(tǒng)可靠性的同時,也實現(xiàn)了更直接的成本優(yōu)化。
“C版”聚焦精準(zhǔn)溫度采樣基準(zhǔn)。在副邊側(cè),IGBT或SiC模塊通常都有溫度采樣需求,比如NTC電阻采樣,這對基準(zhǔn)電壓源的精度要求非常高。C版在芯片內(nèi)部集成了一個5V(±1%)LDO,并通過PIN17(VREF引腳)輸出,具備20mA帶載能力和過流保護能力。
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這相當(dāng)于直接解決了外部偏置網(wǎng)絡(luò)的供電問題,讓溫度采樣鏈路更簡單、更穩(wěn)定,也減少了外圍器件設(shè)計的復(fù)雜度。
這種基于真實應(yīng)用場景做出的“千人千面”定制能力,也正是川土微電子這樣的本土芯片設(shè)計公司的核心競爭力之一,更是本土化創(chuàng)新能夠持續(xù)向中高端突破的關(guān)鍵。
03 系統(tǒng)級賦能的宏大版圖
除了單一技術(shù)產(chǎn)品的本土化,現(xiàn)在整車廠也越來越看重“全產(chǎn)業(yè)鏈本土化率”,其替換的動力一方面來自成本競爭力,另一方面也來自供應(yīng)鏈的安全與自主創(chuàng)新。
而川土微電子的底牌,也不止于單一技術(shù)產(chǎn)品,而是構(gòu)建起了更深的技術(shù)壁壘和系統(tǒng)級解決方案能力。
從過自主IP設(shè)計,到與本土晶圓制造、封裝測試伙伴協(xié)同,川土微電子實現(xiàn)了高比例的本土供應(yīng)鏈閉環(huán)。為了保障車規(guī)級質(zhì)量,川土微電子還建立了2400平方米的CNAS認(rèn)證專業(yè)化測試實驗室,覆蓋HTOL、ELFR、三溫測試、X射線等完整驗證體系,確保產(chǎn)品不僅能設(shè)計出來,更能穩(wěn)定地走向量產(chǎn)。
面向未來,電氣化下半場的競爭,是系統(tǒng)級解決方案能力的較量。誰能幫助主機廠減少器件數(shù)量、縮短驗證周期、提升平臺復(fù)用率,誰就更有機會進入下一輪競爭的核心圈層。
圍繞這一方向,川土微電子也在持續(xù)推進更前沿的技術(shù)演進路線。
第一,是向更高集成度進化的自供電驅(qū)動方案。未來的重要趨勢之一,是在隔離驅(qū)動的基礎(chǔ)上,將變壓器和DC-DC控制器直接集成到芯片內(nèi)部。目前,川土微電子正在開發(fā)此類方案,未來甚至可以直接將12V電源引到芯片上,大幅減少外部隔離變壓器,實現(xiàn)更高的系統(tǒng)集成度,進一步壓縮體積和BOM成本。
第二,是更智能的動態(tài)調(diào)節(jié)技術(shù)——SRC(斜率控制)。針對SiC和工業(yè)功率管的適配問題,川土微正在研發(fā)的SRC功能,能夠根據(jù)功率管開通時的阻抗(rgs)變化,動態(tài)調(diào)整驅(qū)動電流能力。這能進一步減小快速開通、關(guān)斷帶來的過沖和風(fēng)險,同時也讓驅(qū)動器具備更強的自適應(yīng)能力,可以更靈活地匹配市面上不同廠商、不同特性的功率器件,打破“驅(qū)動+功率管”強綁定的生態(tài)。
04 寫在最后
“模擬IC廠商其實不多,經(jīng)過下半場的激烈篩選,后面可能會越來越少。”這是川土微電子相關(guān)負(fù)責(zé)人對行業(yè)做出的判斷,在新能源汽車這場長跑中,單純依靠低端平替打價格戰(zhàn)的邏輯,已無法在主電驅(qū)這類核心的安全領(lǐng)域立足。
CA-IS3265/6系列隔離柵極驅(qū)動器推出,其實是以更優(yōu)異的系統(tǒng)級降本設(shè)計、更貼近本土主機廠痛點的差異化版本,以及功能安全體系,定義本土高端隔離驅(qū)動的標(biāo)準(zhǔn)。
如今,模擬芯片的競爭,并不只是參數(shù)的比拼,更是對系統(tǒng)、場景和產(chǎn)業(yè)鏈理解的較量。從參數(shù)追趕到系統(tǒng)定義,從單點替代到平臺級筑基,本土模擬芯片正在向上突圍!
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