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左手臺(tái)積電,右手英特爾。
力積電近期再迎運(yùn)營(yíng)重大利好,繼憑借中介層產(chǎn)品成功切入臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝供應(yīng)鏈、打開(kāi)高端市場(chǎng)通道后,又順利躋身英特爾主流EMIB先進(jìn)封裝合作陣營(yíng)。與此同時(shí),公司與美光在高帶寬內(nèi)存(HBM)相關(guān)業(yè)務(wù)上的合作穩(wěn)步推進(jìn),特色制程布局持續(xù)落地,疊加AI服務(wù)器、先進(jìn)封裝等賽道的爆發(fā)式增長(zhǎng),這家老牌晶圓代工廠的經(jīng)營(yíng)格局正迎來(lái)實(shí)質(zhì)性拐點(diǎn),從傳統(tǒng)代工業(yè)務(wù)向高端技術(shù)領(lǐng)域全面轉(zhuǎn)型。
作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的核心技術(shù)之一,先進(jìn)封裝是提升芯片性能、縮小體積的關(guān)鍵環(huán)節(jié),尤其在AI芯片、高端處理器等高性能計(jì)算領(lǐng)域需求迫切。英特爾主推的EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)封裝技術(shù),憑借高集成度、低成本與靈活適配性等優(yōu)勢(shì),近年發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁。據(jù)悉,該技術(shù)已吸引多家一線芯片設(shè)計(jì)企業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn),開(kāi)始分流長(zhǎng)期由臺(tái)積電CoWoS(晶圓級(jí)系統(tǒng)集成)技術(shù)主導(dǎo)的先進(jìn)封裝市場(chǎng)份額,獲得資本市場(chǎng)普遍看好。在英特爾股價(jià)持續(xù)走高、市場(chǎng)關(guān)注度飆升的背景下,原有EMIB中介層合作廠商聯(lián)電已率先享受行業(yè)紅利,業(yè)務(wù)規(guī)模與市場(chǎng)影響力同步提升。如今力積電正式入局英特爾EMIB先進(jìn)封裝供應(yīng)鏈,憑借其在特殊制程領(lǐng)域的技術(shù)積累,被業(yè)界普遍視作“聯(lián)電第二”級(jí)別的潛力企業(yè),有望借助兩大行業(yè)巨頭的資源優(yōu)勢(shì),快速擴(kuò)大在先進(jìn)封裝賽道的市場(chǎng)份額。
業(yè)內(nèi)消息顯示,力積電與英特爾合作的EMIB相關(guān)項(xiàng)目已進(jìn)入后期驗(yàn)證階段,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)逐步達(dá)標(biāo),客戶端訂單需求呈現(xiàn)持續(xù)放量態(tài)勢(shì)。其中,公司重點(diǎn)布局的12英寸IPD(集成無(wú)源器件)平臺(tái)已完成國(guó)際大廠嚴(yán)苛認(rèn)證,預(yù)計(jì)今年二季度正式進(jìn)入量產(chǎn)階段,相關(guān)產(chǎn)品將專(zhuān)門(mén)配套應(yīng)用于英特爾EMIB先進(jìn)封裝架構(gòu),主要面向AI服務(wù)器、高端CPU等核心應(yīng)用場(chǎng)景。根據(jù)力積電內(nèi)部規(guī)劃,隨著客戶需求的持續(xù)增長(zhǎng),2027年下半年起,EMIB相關(guān)業(yè)務(wù)的單月晶圓投片量有望接近萬(wàn)片規(guī)模,成為公司未來(lái)幾年的重要營(yíng)收增長(zhǎng)點(diǎn)。
行業(yè)分析指出,此前AI服務(wù)器領(lǐng)域的先進(jìn)封裝市場(chǎng)長(zhǎng)期由臺(tái)積電CoWoS技術(shù)壟斷,全球超八成高端AI芯片的封裝需求均依賴該技術(shù)方案。但隨著AI算力需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),CoWoS產(chǎn)能持續(xù)緊張,且成本相對(duì)較高,為其他技術(shù)路線提供了市場(chǎng)空間。英特爾趁勢(shì)大力推廣EMIB封裝方案,憑借其在PC、服務(wù)器處理器領(lǐng)域的深厚客戶基礎(chǔ),疊加美國(guó)本土CPU、AI芯片廠商出于供應(yīng)鏈安全考慮的導(dǎo)入節(jié)奏加快,EMIB技術(shù)有望在AI服務(wù)器、邊緣計(jì)算等細(xì)分領(lǐng)域與CoWoS形成雙強(qiáng)并立、分庭抗禮的競(jìng)爭(zhēng)格局。而作為供應(yīng)鏈核心環(huán)節(jié)的中介層、IPD等產(chǎn)品供應(yīng)商,力積電、聯(lián)電等企業(yè)將率先享受行業(yè)增長(zhǎng)紅利,業(yè)務(wù)規(guī)模與盈利能力有望持續(xù)改善。
針對(duì)具體客戶訂單與合作細(xì)節(jié),力積電延續(xù)行業(yè)慣例,一貫秉持不評(píng)論的態(tài)度。不過(guò),力積電董事長(zhǎng)黃崇仁在最新發(fā)布的股東信函中,對(duì)公司未來(lái)經(jīng)營(yíng)前景釋放出明確的樂(lè)觀預(yù)期。他直言2025年已成為企業(yè)運(yùn)營(yíng)的階段性底部,公司將開(kāi)啟“第四次戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型”,核心方向是依托技術(shù)創(chuàng)新突破、深化客戶資源合作與強(qiáng)化戰(zhàn)略伙伴協(xié)同效應(yīng),全面積蓄新一輪增長(zhǎng)動(dòng)力,并明確表態(tài)“2026年將成為公司值得期待的業(yè)績(jī)修復(fù)與增長(zhǎng)之年”。
黃崇仁在報(bào)告中進(jìn)一步指出,隨著全球AI服務(wù)器、高端消費(fèi)電子等終端市場(chǎng)的快速爆發(fā),先進(jìn)制程與特色工藝的需求呈現(xiàn)同步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),這直接帶動(dòng)了硅中介層、氮化鎵(GaN)、電源管理芯片(PMIC)、集成無(wú)源器件(IPD)等特殊制程產(chǎn)品的需求崛起。目前多家國(guó)際龍頭企業(yè)已提前與力積電達(dá)成合作,啟動(dòng)相關(guān)產(chǎn)品的試產(chǎn)驗(yàn)證,從今年開(kāi)始這些產(chǎn)品將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段,有望為公司營(yíng)收和利潤(rùn)帶來(lái)實(shí)質(zhì)性貢獻(xiàn),推動(dòng)企業(yè)盈利結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化。
值得關(guān)注的是,力積電近年重點(diǎn)布局的3D晶圓混合鍵合堆疊技術(shù)(3D WoW Hybrid Bonding),也被視作未來(lái)核心增長(zhǎng)引擎。該技術(shù)通過(guò)芯片與芯片之間的直接鍵合,可大幅提升芯片集成度與數(shù)據(jù)傳輸效率,是下一代高性能計(jì)算芯片的關(guān)鍵支撐技術(shù)。黃崇仁透露,目前公司研發(fā)的3D AI DRAM四層堆疊方案已成功通過(guò)頭部先進(jìn)邏輯芯片廠商的認(rèn)證,技術(shù)成熟度持續(xù)提升,正穩(wěn)步向八層堆疊技術(shù)迭代。未來(lái)該技術(shù)將主要落地下一代AI邊緣計(jì)算、高端服務(wù)器等場(chǎng)景,為客戶提供高帶寬、低功耗的底層硬件解決方案,進(jìn)一步強(qiáng)化公司在高端技術(shù)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,力積電此次同時(shí)牽手臺(tái)積電、英特爾兩大行業(yè)巨頭,加上與美光在HBM領(lǐng)域的合作推進(jìn),已構(gòu)建起覆蓋先進(jìn)封裝、高端內(nèi)存、特色器件的多元化業(yè)務(wù)布局。在AI產(chǎn)業(yè)持續(xù)高景氣的背景下,公司有望憑借技術(shù)轉(zhuǎn)型與客戶資源優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)的持續(xù)改善,從傳統(tǒng)晶圓代工廠逐步成長(zhǎng)為高端半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的重要參與者。不過(guò),行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)也在同步加劇,如何在臺(tái)積電、三星等巨頭的擠壓下擴(kuò)大市場(chǎng)份額,同時(shí)維持技術(shù)研發(fā)的持續(xù)投入,將是力積電未來(lái)發(fā)展面臨的核心挑戰(zhàn)。
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