硅來 12 寸 SiC 設備批量交付

近日，硅來半導體（武漢）有限公司（以下簡稱“硅來”）第三批兼容12英寸碳化硅襯底激光剝離量產設備順利交付客戶。本次交付標志著硅來超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術已經成功通過產業化檢驗，將為碳化硅產業發展注入新的動能。

超大尺寸碳化硅襯底前景廣闊

作為第三代半導體代表材料，碳化硅具有禁帶寬度大、熔點高、熱導率高等性能優勢，在高溫、高壓、高頻條件下表現優異，廣泛應用于新能源汽車、智能電網、5G通信等領域，并有望作為最理想的AR鏡片材料、先進封裝中介層材料等推動多個領域的技術變革。與6英寸襯底相比，8英寸和12英寸碳化硅襯底能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產條件下，可以顯著提升產量、降低成本。

公司自主創新激光剝離工藝技術領先

硅來核心研發團隊來自華中科技大學激光學科，技術創新能力強，且深耕激光產業多年。

團隊自主創新激光剝離技術，對莫氏硬度高達9.5，接近于金剛石的SiC單晶，先后推出6英寸、8英寸和12英寸碳化硅襯底激光剝離量產設備，解決了大尺寸、尤其是超大尺寸碳化硅襯底加工的技術難題，效率和損耗顯著優于傳統線切割工藝。關鍵技術效果如下：

• 高加工效率：單片激光剝離時間＜15分鐘@8英寸，較傳統線切工藝提升20-30倍；

• 低原料損耗：單片加工損耗碳化硅晶錠60-80μm@8英寸，較傳統線切工藝降低60%，且加工過程中不使用任何耗材及化學試劑；

• 高出片率：相較傳統線切工藝，出片量提升30%，單片加工成本降低50%。

公司激光剝離工藝技術的差異性明顯

硅來碳化硅襯底激光剝離設備不同于行業現有技術路線，體現在：

• 獨創性采用SOC組合光源。相比多臺獨立光源方案具備更高集成度和穩定性；

• 搭載自由曲面光路整形技術；

• 配備“白光干涉面形檢測+反演算法補償”技術：可靠性突出；

• 支持不同電阻率碳化硅晶體工藝定制，可承載更高能量，且具備“無老化、無壽命限制、強抗干擾”特性；

• 同時支持6、8、12英寸規格，定位精度與非標尺寸兼容性滿足生產要求；

• 單臺1.2m*1.4m設備即可完成切割全工序與自動上下料。空間布局更加緊湊，設備尺寸經過深度優化，在保證全自動化高性能運行的前提下，大幅節省車間布局空間，提升廠房整體利用率，適配不同規模產線的布局需求，更高效、更精密、更智能。

公司激光剝離設備獲得市場和產業資本高度認可

不到半年時間硅來累計出貨數十套設備，廣泛覆蓋國內多家頭部碳化硅企業。得益于模塊化的設計和產業協同，硅來半導體已實現規?；慨a，設備的批量交付周期為28天，未來有望縮短至14天；

同步布局硅光芯片核心裝備領域，自主研發的硅光芯片激光隱切設備已成功出口海外，憑借更高精度、穩定性與性價比，將成為公司未來主要主力機型之一。

硅來已經成功引入武漢帝爾激光科技股份有限公司等戰略投資者。作為全球領先的激光精密微納加工裝備制造企業，帝爾激光始終堅持原始創新，深耕激光技術應用“無人區”，在半導體領域已經推出TGV 激光微孔、PCB 超快激光鉆孔、SiC/IGBT激光退火、激光隱切等多款設備。未來，硅來將聚焦半導體激光裝備核心賽道，持續優化SoC 光源、自由曲面光路等核心技術，深化與帝爾激光的協同創新，以更先進的技術、更優質的服務賦能碳化硅襯底產業發展。

—— 芯榜 ——

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