【硬件資訊】狂飆的三星！更多新類型內(nèi)存進(jìn)展突飛猛進(jìn)，3GB GDDR7交付測試、HBM4E提上日程、SOCAMM2量產(chǎn)提速！！

新 聞1： 單顆容量 3GB，消息稱三星 36 Gbps GDDR7 顯存已送樣測試

4 月 15 日消息，科技媒體 TechPowerUp 昨日（4 月 14 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱三星已開始向其客戶供應(yīng)速率為 36 Gbps 的 GDDR7 顯存樣品，單顆容量達(dá) 24 Gb，即 3GB。

消息稱三星目前也在量產(chǎn) 28 Gbps 的 3GB 顯存模塊，后者將成為市場主流選擇；而 32 Gbps 與 36 Gbps 高速版本可能僅限于專業(yè)級顯卡使用。

對于消費(fèi)級市場，此前有消息稱英偉達(dá)會在 2026 年第 2 季度更新推出三款 SUPER 系列顯卡，涵蓋 RTX 5070 SUPER、RTX 5070 Ti SUPER 及 RTX 5080 SUPER，最大的亮點(diǎn)是為滿足高分辨率游戲與 AI 計(jì)算需求，顯存容量比非 SUPER 版本增加 50%。IT之家附上相關(guān)預(yù)估規(guī)格如下：

原文鏈接：https://m.ithome.com/html/939316.htm

前幾天我們剛說過NVIDIA有可能會使用3GB GDDR7顯存來生產(chǎn)9G顯存RTX 5060、5060Ti，這一切的背后支撐就是幾大存儲廠商都在押注這一規(guī)格，轉(zhuǎn)移產(chǎn)能。最新的消息則是，三星已經(jīng)開始向客戶交付性能測試版本，這次交付的是更高速率的36 Gbps，28Gbps的版本已經(jīng)量產(chǎn)了，這才是咱們消費(fèi)級顯卡上會用到的，但也看出了存儲廠商的趨勢了。

新 聞 2：消息稱三星電子計(jì)劃 5 月生產(chǎn)首批 HBM4E 內(nèi)存性能樣品

4 月 16 日消息，韓媒 ChosunBiz 當(dāng)?shù)貢r間今晨報(bào)道稱，三星電子計(jì)劃在 5 月生產(chǎn)首批性能可滿足客戶要求的 HBM4E 內(nèi)存樣品，為 2027~2028 年的供應(yīng)打下基礎(chǔ)。

三星電子在今年早些時候的 NVIDIA 英偉達(dá) GTC 2026 上公開展示了 HBM4E 內(nèi)存，可實(shí)現(xiàn) 16Gbps 的每 Pin 數(shù)據(jù)傳輸速率，整體帶寬達(dá) 4.0TB/s。不過業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為那時的樣品僅是用于展示三星電子技術(shù)實(shí)力的演示樣品。

與 HBM4 一樣，三星電子的 HBM4E 將采用 1c nm DRAM Die 和 4nm Base Die，不過工藝細(xì)節(jié)將有所改進(jìn)。三星晶圓代工計(jì)劃在 5 月中旬之前完成 HBM4E 性能樣品 Base Die 的生產(chǎn)，交付存儲器業(yè)務(wù)以進(jìn)行后續(xù) 3D 封裝工序。

原文鏈接：https://m.ithome.com/html/939745.htm

另一個領(lǐng)域，三星竟然已經(jīng)開始推進(jìn)HBM4E了？？看來真的是痛定思痛，上一個時代三星在HBM3和HBM3E上大幅落后，對整個三星存儲的影響都是巨大的，現(xiàn)在在HBM4和HBM4E上終于都是最領(lǐng)先的了。現(xiàn)在已經(jīng)具備性能測試的能力的話，想來進(jìn)度很健康了。

新 聞3： 三星解決SOCAMM2生產(chǎn)難題，量產(chǎn)時間或領(lǐng)先于SK海力士和美光

去年末，三星推出了SOCAMM2（Small Outline Compression Attached Memory Module）內(nèi)存模塊。這是一款基于LPDDR構(gòu)建的服務(wù)器內(nèi)存模塊，專為AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)。通過結(jié)合LPDDR技術(shù)的優(yōu)勢與模塊化、可拆卸設(shè)計(jì)，SOCAMM2實(shí)現(xiàn)更高的帶寬、更高的能效、以及靈活的系統(tǒng)集成，使AI服務(wù)器實(shí)現(xiàn)更高的效率和可擴(kuò)展性。

據(jù)TrendForce報(bào)道，三星已經(jīng)解決了SOCAMM2生產(chǎn)過程中的一個關(guān)鍵技術(shù)難題，即影響整體良率的翹曲問題，在量產(chǎn)前掃除了重大障礙，可能會在量產(chǎn)時間表上領(lǐng)先于SK海力士和美光。三星是憑借自家開發(fā)的下一代低溫焊料（LTS）技術(shù)來解決這一問題，焊接過程中所需要的溫度從260°C以上降至150°C以下，通過大幅降低峰值溫度，最大限度地減少了熱膨脹系數(shù)差異引起的變形錯位。

所謂變形，就是指制造過程中因發(fā)熱導(dǎo)致部件的輕微彎曲，主要原因就是材料間熱膨脹系數(shù)差異造成的，其中SOCAMM2非常容易受到影響。這是由于SOCAMM2所使用的LPDDR5X芯片拼成模塊并通過螺栓壓縮固定的結(jié)構(gòu)，增加了連接失敗的風(fēng)險(xiǎn)。

除了溫度控制外，三星還進(jìn)行了多項(xiàng)改進(jìn)，包括將Die布局從雙堆棧改為單堆棧，同時優(yōu)化環(huán)氧塑封料（EMC）的厚度和熱膨脹系數(shù)，另外還使用了高精度仿真模型，以提高對翹曲位置的預(yù)測準(zhǔn)確性。

原文鏈接：https://www.expreview.com/105129.html

大家對SOCAMM2這個新的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)大家可能還有些陌生，但是CAMM2應(yīng)該還是有些印象的吧？畢竟是JEDEC宣布的新DDR6內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)，而SOCAMM2就是CAMM2的小型化衍生標(biāo)準(zhǔn)。這個標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)勢就是解決了插槽式DIMM標(biāo)準(zhǔn)的延遲、空樁效應(yīng)等，對內(nèi)存速率和可靠性的影響，也被視為HBM方案的可靠替代，事實(shí)上，我們現(xiàn)在看到DDR5內(nèi)存的極限頻率，就已經(jīng)被DIMM標(biāo)準(zhǔn)拖累了。

三星在這一技術(shù)上領(lǐng)先，不光是搶先占領(lǐng)專業(yè)市場，也是為下一代消費(fèi)級內(nèi)存提前做好技術(shù)儲備，真是越過越好了啊三星。

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