英特爾先進封裝，火力全開

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英特爾的關鍵EMIB技術實現了驚人的良率，表明其已準備好在即將到來的AI數據中心芯片中得到應用。

英特爾EMIB是芯片巨頭英特爾最關鍵的晶圓代工技術，它將使英特爾成為臺積電在先進封裝領域的有力競爭對手。

我們最近討論了人工智能公司如何將EMIB技術應用于其下一代人工智能芯片。這項技術的目標很簡單：為臺積電的CoWoS技術提供一種經濟高效且可擴展的替代方案。

英特爾的先進封裝技術將被谷歌用于其下一代TPU芯片，我們也曾報道過英偉達將其用于其下一代Feynman芯片。GF證券科技研究部的分析師Jeff Pu分享了他對EMIB項目進展的一些見解，初步印象非常不錯。

據杰夫透露，英特爾的EMIB良率已達到90%，這對公司的晶圓代工業務來說無疑是個好消息，也解釋了為何目前外界對英特爾晶圓代工如此充滿信心。Meta也是EMIB的客戶之一，不過雙方的合作計劃是圍繞2028年底推出的CPU展開，因此我們還需要一段時間才能獲得更多相關信息。

與此同時，英特爾并未停止宣傳其EMIB技術的優勢。這家芯片制造商再次強調了EMIB（嵌入式多芯片互連橋）的諸多益處，包括：提高良率、降低功耗、降低成本，以及使更大規模的“混合節點”系統成為現實。

在最新發布的視頻中，英特爾還分享了關于EMIB封裝的一個有趣見解，指出EMIB的良率與FCBGA相當，同時芯片間的互連密度更高。FCBGA（倒裝芯片球柵陣列）是另一種高性能封裝技術，廣泛應用于各種IP，例如CPU、GPU和其他控制器芯片。FCBGA芯片通過焊球直接連接到PCB基板，而EMIB則將互連封裝在橋接結構中，從而將多個芯片連接在一起。

EMIB-M 和 EMIB-T 的主要區別

目前，EMIB技術主要有兩種：EMIB-M和EMIB-T。EMIB-M橋接電路的設計旨在提高效率，其硅橋接電路中采用MIM電容，通過最大程度地降低噪聲來增強功率傳輸和電路完整性。雖然MIM電容的成本略高于金屬-氧化物-金屬（MOM）電容，但它具有更高的穩定性和更低的漏電。

EMIB-M 的構建過程涉及通過芯片組創建高密度 3D 結構。這些芯片組通過 EMIB-M 橋接器連接，該橋接器提供高帶寬互連。芯片組的電源繞過橋接器傳輸。

嵌入式多芯片互連橋 2.5D。

• 一種高效、經濟的多個復雜芯片連接方式。

• 用于邏輯-邏輯和邏輯-高帶寬存儲器（HBM）的 2.5D 封裝。

• EMIB-M 在橋式電路中采用 MIM 電容。EMIB-T 在橋式電路中增加了 TSV 封裝。

• 封裝基板中嵌入硅橋，用于岸線到岸線的連接。

• EMIB-T 可以簡化其他封裝設計中的 IP 集成。

• 簡化供應鏈和組裝流程。

• 生產已驗證：自 2017 年以來，已采用英特爾和外部芯片進行大規模生產。

EMIB-T 改變了電源布線方式，通過集成 TSV 技術實現了更高的密度擴展。與 EMIB-M 不同，EMIB-T 中的電源可以直接通過 EMIB 橋接器布線，而無需繞過橋接器。EMIB-T 的設計旨在滿足高性能 AI 芯片的需求。

面向超大規模數據中心時代的 EMIB 規模化應用

目前，EMIB-T 芯片的擴展能力已達到光罩尺寸的 8 倍以上，封裝尺寸為 120x120，可容納 12 個 HBM 芯片、4 個高密度芯片組以及超過 20 個 EMIB-T 連接。到 2028 年，英特爾計劃將擴展能力提升至光罩尺寸的 12 倍以上，封裝尺寸超過 120x180，可容納超過 24 個 HBM 芯片和超過 38 個 EMIB-T 橋接器。

作為對比，臺積電預計到2028年將實現14倍光刻技術，最多可集成20個HBM封裝。該公司還擁有用于超大型先進封裝芯片的SoW（晶圓系統）封裝，但其成本遠高于CoWoS。

EMIB 的一個關鍵優勢在于它與 IP 和工藝節點無關，因此您可以容納基于各種 IP 和各種第三方或內部工藝節點的多個芯片，從而制造出專為帶寬、電源完整性和規模而設計的芯片。

（來源：編譯自wccftech）

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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