《科創板日報》5月14日訊 當地時間5月13日,高塔半導體(Tower Semiconductor)美股大漲22.61%,年內累計漲幅已超130%。
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消息面上,公司發布了2026年第一季度財報。
報告期內實現營收4.14億美元,同比增長15%;營收利潤6500萬美元,同比增長96%。預計第二季度營收4.55億美元,上下浮動幅度為5%,有望創公司歷史新高,高于市場預估。
更引發市場矚目的則是硅光訂單:高塔半導體透露,已與公司最大的硅光客戶簽訂2027年硅光晶圓長期協議,訂單金額高達13億美元,已收到2.9億美元預付款;客戶已承諾在2028年下更大的訂單,并將在2027年1月之前支付更多預付款。
這也意味著,在算力依舊緊缺的當下,硅光代工也進入了長約與預付款階段,大型客戶提前卡位未來數年的產能。
高塔作為目前硅光流片的核心代工廠,承接了大量硅光設計公司訂單。券商指出,硅光芯片所需的特殊工藝平臺產能稀缺,代工廠排產緊張,能否提前鎖定高塔的晶圓代工產能,成為影響硅光模塊實際交付能力的重要因素。
值得注意的是,英偉達正是高塔的硅光合作客戶之一。
今年2月,高塔宣布與英偉達合作,通過高性能硅光子技術,支持面向下一代AI基礎設施的1.6T數據中心光模塊。此次合作重點在于實現與英偉達網絡協議相匹配的高速光連接,從而擴展AI基礎設施的部署。
之后在同月的財報會上,公司又公布了頗為激進的擴產計劃:公司表示,硅光(SiPho)和硅鍺(SiGe)需求持續增長,基于與核心客戶的協同規劃,在此前宣布且正在執行的6.5億美元資本支出計劃基礎上,額外追加2.7億美元設備投資,用于提升SiPho產能及下一代技術能力,使SiPho和SiGe總投資規模達到9.2億美元——這一數據較原計劃增幅超過四成。
AI大模型訓練與推理需求的指數級增長,光模塊市場快速發展。但傳統EML光芯片路線的產能集中于海外,受限于磷化銦材料,2026年EML路線的供給缺口較大。
中國銀河證券指出,這一缺口將主要由硅光方案填補,預計2026年800G光模塊中硅光方案占比將超過50%,而在1.6T光模塊中占比更是高達70%-80%。此外,上游的法拉第旋轉片和高端CW光源等物料也處于緊缺狀態,進一步凸顯了硅光技術作為緩解供應鏈壓力、提升集成度關鍵路徑的戰略價值。
隨著硅光技術持續發展,加多家巨頭已相繼展開布局。三星電子在2026年3月OFC大會上公布硅光子技術路線圖,計劃2028年實現硅光芯片量產,2029年推出整合硅光子、GPU和高帶寬內存的先進封裝芯片;臺積電已與英偉達合作推進硅光產品量產,英特爾、格羅方德等代工廠也早已在硅光晶圓制造領域深度布局;光器件廠商光迅科技在OFC 2026上推出了全球首款3.2T硅光單模NPO模塊,并已完成在國內頭部云服務廠商的驗證。從芯片設計、晶圓代工到模塊集成,全球產業鏈正加速向硅光技術遷移。
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