廣東
被業界稱為硅光子元年的臺積電光引擎COUPE 將整合共同封裝光學（CPO）解決方案，今日在技術論壇宣布重大成果，搭載COUPE 技術的全球首個200Gbps 微環調變器（MRM），將于2026 年進入量產，并實現低于1E-08 的位元誤差率。
臺積電表示，與傳統銅線相比，基板上搭載COUPE的CPO可提供4 倍的功耗效率及減少90%的延遲，公司正朝在中介層（interposer）上使用COUPE 技術，效能可進一步提升，實現10倍的功耗效率與延遲減少95%的卓越表現。
臺積電強調，搭載COUPE 技術的全球首個200Gbps 微環調變器（MRM）將于2026 年進入量產，采用COUPE 技術的MRM 在優異的制程控制下，實現低于1E-08 的位元誤差率外，公司也持續擴展，以讓400Gbps的調變器、多波長技術與多列光纖陣列單元，于2030年實現4Tbps/mm 的頻寬密度。
除此之外，臺積電也宣布非揮發性記憶體技術正朝向MRAM 和RRAM（ 電阻式隨機存取記憶體） 發展，而且制程將40/28/22 納米縮小至16/12納米。
臺積電是在2022年開始以40/28/22nm量產RRAM，這項新型記憶體，具備高速讀寫低功耗的特性，是因應智能穿載及嵌入式應用而被采用的非揮發性記憶體。臺積電今日公布最新的突破是12納米的RRAM， 已準備好進行客戶設計定案。
除此之外，28/22 納米的RRAM也已通過車規Automotive Grade-1 認證；12 納米的RRAM Auto預計于2026 年底推出。
至于MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）是一種具備高速讀寫、非揮發性（斷電不丟失資料）及無限次寫入壽命的次世代記憶體技術。它結合了SRAM 的高速與快閃記憶體(Flash) 的非揮發性，適用于嵌入式系統（eMRAM）、邊緣運算與汽車電子。
臺積電今日也宣布，22 納米的MRAM 已開始量產，16納米MRAM 已準備好進行客戶設計定案。此外用于提升邏輯密度及效能的12 納米MRAM 正在開發階段，預計于2026 年底就緒。
至于備受市場關注的顯示技術方面，臺積公司宣布推出業界首個FinFET 高壓平臺，用于可折疊/輕薄OLED與AR 眼鏡。
臺積電強調技術躍進在于與N28HV 相比，N16HV 預計可將閘極密度提高41%，并為高階智能型手機減少功耗35%； N16HV 也提供了一項用于近眼顯示引擎背板的技術平臺，與28nm 相比，可縮小芯片面積（die area）40%并降低功耗20%。
（來源：聯合報）
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