北京
VIA：Compute King
筆者注：據(jù)韓媒和臺媒在內(nèi)的多個報道，武漢東湖高新區(qū)，長江存儲三期項目工地的塔吊之間，潔凈廠房設備已開始安裝，這家中國最大的NAND Flash制造商正以前所未有的速度向2026年下半年量產(chǎn)目標沖刺。這一超常速度的背后，是長存對NAND Flash市場“超級周期”的戰(zhàn)略布局，也是中國在全球半導體競爭中加快步伐的縮影。
建設大提速
長江存儲武漢三期項目于2025年9月才正式動工，按照常規(guī)半導體建廠周期，本應等到2027年才能具備正式量產(chǎn)能力。
然而，來自設備纏上的消息顯示，長江存儲近期已開始密集進行NAND Flash生產(chǎn)設備采購訂單發(fā)送與工廠啟動設置作業(yè)，進度已大幅調(diào)整。
從動工到開始量產(chǎn)僅歷時約一年，這在半導體行業(yè)中極為罕見。
消息人士分析指出，這意味著長江存儲采取了加速的策略，即在工廠主體建筑尚未完全完工的情況下，就同步搬入部分設備并進行生產(chǎn)線的早期調(diào)試與運作。
擴大市場占有率的絕佳時刻
急速擴張背后，是長江存儲為了在NAND Flash市場迎接“超級周期”時，強化自身的全球競爭優(yōu)勢布局。
長江存儲將2026年視為擴大NAND Flash市場占有率的黃金時刻。其戰(zhàn)略判斷源于三星電子與SK海力士2026年將主要資源與重心傾斜至利潤更高的DRAM以及AI專用的HBM領域。
據(jù)市場研究機構Counterpoint Research統(tǒng)計，以NAND出貨量為基準，長江存儲的全球市占率在2025年第一季首度突破10%大關。
隨后的成長趨勢不減，至2025年第三季，其市占率已攀升至13%，較前一年同期大幅增長了4個百分點。
生產(chǎn)技術突破
在技術層面，長江存儲在NAND Flash的生產(chǎn)技術實力上已取得顯著進步。數(shù)據(jù)顯示，長江存儲目前已掌握270層3D NAND Flash的生產(chǎn)技術。
雖然與三星電子的286層及SK海力士的321層技術相比仍有差距，但這一差距正在快速縮小。
更關鍵的是，受益于長期資本投入以及積極延攬外部專家，長江存儲在生產(chǎn)良率與穩(wěn)定性方面獲得了高度評價，被認為已具備與全球領先企業(yè)一較高下的實力。
研究公司Omdia估計，2025年長江存儲的資本支出比全球同行更為積極，約占全球NAND閃存總投資的20%，預計還將繼續(xù)加速增長。
市場競爭格局
全球NAND Flash市場主要參與者包括三星電子、SK海力士、美光、鎧俠和長江存儲。
從技術和市場兩個維度，我們可以更清晰地看到長江存儲當前的地位和追趕目標：
從數(shù)據(jù)上來看，如果長存擴建能按計劃按期完成的話，按產(chǎn)能計算，長江存儲明年可能獲得超過20%的全球市占，極有可能超越SK Hynix，美光和鎧俠成為全球第二大NAND生產(chǎn)廠商。
資本局的變化
長江存儲三期項目公司主體：長存三期（武漢）集成電路有限責任公司成立于2025年9月5日，注冊資本207.2億元，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。
股東信息顯示，長存三期由長江存儲持股50.19%、湖北長晟三期投資發(fā)展有限責任公司持股49.81%。
湖北長晟三期成立于2025年9月2日，由光谷金控、江城基金、長江產(chǎn)投按40%、40%、20%的比例共同持有，這三者分別代表了湖北省，市，區(qū)的國資力量。
長存三期的加速，是中國半導體產(chǎn)業(yè)在極端外部環(huán)境下，通過優(yōu)化工程管理和資本效率實現(xiàn)的極限求生與主動出擊。如果2026年下半年能夠如期啟動量產(chǎn)，武漢將真正成為全球存儲芯片版圖上不可忽視的一極。
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