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近來半導體設備領域最受關注的問題之一是臺積電宣布不打算在其計劃于2029年左右推出的A13節點上采用高數值孔徑EUV光刻系統。此舉引發了關于這一決定是否以及在多大程度上會影響ASML未來增長軌跡的討論。
在此背景下,其影響不僅限于 ASML 的產品路線圖,還將影響客戶的采用策略和近期 EUV 需求前景。
高數值孔徑極紫外光刻:成本過高,短期內難以普及?
即使對于預計 2026 年資本支出高達 5600 億美元的代工巨頭 ASML 而言,其高數值孔徑 EUV 系統仍然被視為價格昂貴,每臺設備的售價約為 4 億美元——據路透社報道,這大約是當前一代 EUV 系統成本的兩倍。隨著臺積電加速在美國、日本和其他海外地區的新晶圓廠擴大產能,這一問題變得更加突出。
在此背景下,臺積電推遲采用高數值孔徑極紫外光刻技術的決定,反映了其更廣泛的戰略,即擴展現有低數值孔徑極紫外光刻設備的性能范圍。臺積電副首席運營官兼高級副總裁張凱文告訴路透社,公司在推進現有極紫外光刻技術的同時,也保持著積極的擴展路線圖,其研發工作“卓有成效”。
為了配合這一戰略,臺積電在上周的北美技術研討會上擴展了其1-2nm工藝路線圖,推出了多個旨在提升效率而無需轉向下一代光刻技術的節點變體。據Tom's Hardware報道,這些節點包括1.2nm和1.3nm級別的A12和A13,以及出人意料的N2系列擴展產品N2U,目標上市時間為2028年至2029年。
低數值孔徑極紫外光刻擴展了尺寸縮放路徑
臺積電指出,A13 是通過對 A14 進行光學縮減而來,在保持完全設計規則和電氣兼容性的前提下,芯片面積減少了約 6%,從而使客戶能夠以最小的重新設計工作量進行升級。正如《微電子》雜志所強調的,這也使得現有 IP 可以直接復用,表明這種漸進式縮減仍然可以通過低數值孔徑 EUV 光刻結合多重曝光技術得到有效支持。
TechPowerUp解釋說,低數值孔徑(Low-NA)極紫外(EUV)多重曝光需要多次曝光才能形成單層,其中兩次刻蝕可以有效地模擬高數值孔徑(High-NA)曝光的部分優勢。然而,該報告補充道,在接近1納米及以下的先進節點上,這種技術將受到越來越多的限制,屆時高數值孔徑極紫外曝光預計將成為必需。
因此,低數值孔徑(Low-NA)EUV光刻技術仍然能夠滿足臺積電近期的發展規劃。這家晶圓代工巨頭——在3nm和2nm工藝強勁的需求支撐下——似乎并不急于采用高數值孔徑(High-NA)EUV光刻技術,而是選擇密切關注同行廠商的轉型進展。正如路透社此前報道,包括英特爾和SK海力士在內的ASML客戶已經開始準備最早于2027年采用高數值孔徑EUV系統,目標是用于下一代AI邏輯芯片和高帶寬存儲芯片。
ASML認為北美低端EUV需求強勁
值得注意的是,ASML與臺積電的立場一致,認為低數值孔徑(Low-NA)極紫外光刻(EUV)技術仍保持強勁增長勢頭。根據Investing.com的會議記錄,ASML首席財務官Roger Dassen表示,公司目標是在2026年至少生產60套低數值孔徑極紫外光刻系統,并計劃在2027年將產量進一步擴大到80套左右。作為參考,《朝鮮日報》指出,ASML通常每年僅生產40-50套系統。
值得注意的是,盡管ASML并未披露高數值孔徑EUV光刻機的出貨目標或詳細的營收構成,但仍提供了該領域的部分信息。根據公司發布的財報,ASML在2026年第一季度實現凈系統銷售額63億歐元,其中EUV系統貢獻超過41億歐元,包括兩款高數值孔徑EUV光刻機的營收。
假設高數值孔徑 (High-NA) 工具的外部基準約為 4 億美元,這意味著 ASML 的大部分 EUV 收入仍然來自低數值孔徑 (Low-NA) 系統。
與此同時,ASML 還強調了其低數值孔徑 EUV 平臺的長生命周期。該公司在財報電話會議上指出,其 1000 瓦光源的演示是一個關鍵里程碑,實現了長期可擴展性。ASML 表示,到 2031 年,低數值孔徑 EUV 設備的性能預計將達到每小時 330 片晶圓——遠高于目前的性能水平——這將鞏固其在未來多年內作為 EUV 制造主力設備的地位。
超越極紫外光的新動力
據路透社3 月份的一篇報道,在下一代 EUV 需求存在不確定性的背景下,這家荷蘭設備制造商也在尋求超越其光刻核心業務,目標是拓展到先進封裝領域。
據《電子》雜志進一步報道,根據在一次行業會議上公布的專利分析,ASML公司被認為正在推進晶圓對晶圓(W2W)混合鍵合設備的研發。分析結果表明,該公司正在利用其核心的Twinscan光刻平臺技術,探索W2W混合鍵合機的開發。
值得注意的是,業內人士預計三星和 SK 海力士最遲會在 HBM5 中采用混合鍵合技術,這可能會為 ASML 帶來新的長期增長動力。
ASML最大的客戶是誰?
臺積電長期以來一直被視為ASML最大的客戶。《聯邦雜志》此前報道稱,該公司占據了全球EUV光刻系統裝機量的56%。《南華早報》 2024年的一篇報道援引AnandTech和The Register的數據進一步指出,臺積電在全球EUV系統裝機量中的份額將從2020年的50%增長到2023年的56%。
然而,這種主導地位正日益被置于歷史的視角下審視。隨著存儲器制造商大幅增加資本支出以支持人工智能驅動的HBM周期,ASML頂級客戶群的構成正在逐漸發生變化。
值得注意的是,ASML在韓國的需求已經大幅增長,該地區占其2026年第一季度銷售額的45%,高于2025年第四季度的22%。據SeDaily報道,三星也通過大規模設備訂單擴大其光刻產能,從ASML訂購了約20套用于10納米以下先進工藝節點的EUV系統。
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與此同時,臺積電在先進封裝領域日益重要的地位凸顯了其技術多元化程度的提升,不再局限于傳統的晶圓代工服務。在此背景下,ASML的收入來源可能會逐漸轉向更加多元化的客戶群體。
臺積電的漸進式微縮策略能否勝過同行們采取的更為激進的高數值孔徑芯片采用策略,以及阿斯麥能否成功應對這一技術轉型,仍然是半導體行業最受關注的動態之一。
https://www.trendforce.com/news/2026/05/01/news-behind-tsmcs-high-na-euv-deferral-low-na-stays-strong-customer-landscape-shifts-and-asml-quietly-pivots/
(來源:trendforce)
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