三雄爭霸DDR 6

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下一代服務(wù)器DRAM——DDR6的研發(fā)正在加速推進(jìn)。內(nèi)存制造商正與基板制造商協(xié)調(diào)設(shè)計(jì)并開展初步研發(fā)工作。

據(jù)多家基板行業(yè)消息人士4日透露，三星電子、SK海力士、美光等主要內(nèi)存廠商近期已要求基板廠商加快DDR6的研發(fā)。在收到共享設(shè)計(jì)方案后，這些廠商已開始研發(fā)兼顧內(nèi)存厚度、堆疊結(jié)構(gòu)和布線等特性的基板。目前，他們正在制造初始原型并進(jìn)行驗(yàn)證。

DDR6是下一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)計(jì)其數(shù)據(jù)傳輸速度將比上一代DDR5（最高可達(dá)8.4Gbps）提高一倍以上。隨著速度的提升，確保信號完整性和電源效率已成為一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)。基板設(shè)計(jì)的難度也隨之增加。因此，基板制造商從內(nèi)存設(shè)計(jì)的初始階段就開始參與聯(lián)合開發(fā)。

一位基板行業(yè)人士表示：“存儲器公司和基板制造商通常會在產(chǎn)品發(fā)布前兩年多就開始聯(lián)合研發(fā)。DDR6的初步研發(fā)工作最近才開始。”

DDR6的聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）標(biāo)準(zhǔn)尚未最終確定。內(nèi)存制造商和終端用戶共同參與JEDEC，以確定規(guī)范。DDR6草案于2024年底發(fā)布。然而，諸如厚度、I/O端口數(shù)量和信號標(biāo)準(zhǔn)等關(guān)鍵規(guī)范尚未確定。目前的階段是協(xié)調(diào)各方根據(jù)各自提出的設(shè)計(jì)方案制定詳細(xì)規(guī)范。

存儲器公司正在加速研發(fā)，以鞏固其在標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這是因?yàn)閷⑺麄兊膶Ｓ性O(shè)計(jì)納入標(biāo)準(zhǔn)，能夠讓他們提前確保優(yōu)化的性能和開發(fā)體驗(yàn)，同時也有利于提高良率穩(wěn)定性。

據(jù)了解，DDR6的出現(xiàn)標(biāo)志著DDR5過渡的完成。市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年DDR5在服務(wù)器DRAM中的份額超過80%，預(yù)計(jì)今年將增長至90%。隨著DDR4新用戶數(shù)量的減少，其份額已跌破20%。業(yè)內(nèi)也在討論DDR4停產(chǎn)的可能性。

據(jù)評估，下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的研發(fā)進(jìn)程已加快。隨著人工智能服務(wù)器的普及，對數(shù)據(jù)處理速度和帶寬的需求日益增長，對內(nèi)存性能提升的需求也隨之增加。DDR4自2014年商業(yè)化以來，長期以來一直是主流產(chǎn)品。隨著DDR5于2020年發(fā)布，向DDR5的代際過渡于2022年開始，主要集中在服務(wù)器市場。

然而，量產(chǎn)需要時間。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)DDR6的商業(yè)化要到2028年或2029年以后才能實(shí)現(xiàn)。原因在于，只有當(dāng)終端客戶的需求顯現(xiàn)時，量產(chǎn)才能真正開始加速。

在標(biāo)準(zhǔn)方面，據(jù)此前報(bào)道，半導(dǎo)體行業(yè)已正式加速下一代內(nèi)存的研發(fā)，DDR6 標(biāo)準(zhǔn)即將到來。雖然發(fā)燒友們要到 2027 年才能用上這些內(nèi)存模塊，但三星、美光和 SK 海力士等主要廠商已經(jīng)完成了原型階段，并開始了嚴(yán)格的驗(yàn)證流程。他們與英特爾、AMD 和英偉達(dá)合作，目標(biāo)是初始吞吐量達(dá)到 8,800 MT/s，并計(jì)劃最終擴(kuò)展到驚人的 17,600 MT/s，幾乎是目前 DDR5 上限的兩倍。這一提升得益于 DDR6 的 4×24 位子通道架構(gòu)，這需要全新的信號完整性解決方案。此外，它也不同于 DDR5 目前的 2×32 位子通道結(jié)構(gòu)。為了克服 DIMM 外形尺寸在高速度下遇到的物理限制，業(yè)界將目光投向了 CAMM2 技術(shù)。初步跡象表明，服務(wù)器平臺將引領(lǐng)這一變革，高端筆記本電腦將在產(chǎn)能提升后跟進(jìn)。

幕后，各項(xiàng)時間表正在制定中：平臺驗(yàn)證計(jì)劃于 2026 年完成，服務(wù)器部署將于 2027 年啟動，隨后將面向更廣泛的消費(fèi)者市場。這種分階段的推廣模式與 DDR5 的發(fā)展歷程類似；然而，分析師預(yù)測，DDR6 架構(gòu)的飛躍式發(fā)展可能會加速其在人工智能和高性能計(jì)算環(huán)境中的應(yīng)用。當(dāng)然，尖端技術(shù)也意味著更高的價格：預(yù)計(jì)首批 DDR6 內(nèi)存模塊的價格將與 DDR5 在 2021 年上市時的價格相仿，這可能會限制其早期應(yīng)用僅限于超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和人工智能研究實(shí)驗(yàn)室。然而，鑒于高性能計(jì)算和人工智能對帶寬的巨大需求，內(nèi)存制造商正力求盡快推出產(chǎn)品，以滿足大規(guī)模計(jì)算部署的需求。到 2027 年，基于 CAMM2 架構(gòu)、運(yùn)行速度達(dá)到 DDR6 的內(nèi)存模塊很可能成為高性能系統(tǒng)的新標(biāo)準(zhǔn)。

（來源：編譯自theelec）

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