三星電子推出8nm eMRAM

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三星電子正利用其eM RAM（嵌入式 磁性 隨機 存取 存儲器）技術，加強與全球汽車制造商的代工合作。eM RAM是一種高性能、低功耗的專用存儲器，適用于自動駕駛和電動汽車。近期，該公司一直致力于進軍汽車半導體市場，并采用其旗艦級8nm（納米，1/10億米）工藝實現eMRAM。

根據8日在ISSCC 2026上發布的資料，三星電子即將實現其下一代汽車半導體解決方案“8nm eMRAM”的量產。三星通過實際測量數據驗證了該產品在0.6V超低電壓環境下的運行性能，正式確認其技術已達到商業化成熟水平。

8nm eM RAM 擁有業界領先的低功耗和高速性能。根據三星電子發布的詳細數據，即使在 0.6V 的超低電壓環境下，其讀取速度也高達 125MHz。該規格針對對能效要求極高的電動汽車以及需要實時執行復雜計算的自動駕駛微控制器單元 ( MCU) 進行了優化。與上一代 14nm 工藝相比，性能提升更為顯著。8nm eM RAM 的芯片密度比 14nm 工藝提高了 30%，數據讀取速度提高了 33%。這意味著在相同面積的芯片上集成更多功能的同時，信息處理效率得到了提升。

eMRAM之所以被視為汽車半導體市場的關鍵技術，在于其無與倫比的可靠性和速度。eM RAM 具有與 NAND 閃存類似的非易失性特性（即使斷電也能保留數據），但其數據處理速度比 NAND 快 1000 倍。

鑒于汽車半導體器件的特性，它們必須在-40°C至+150°C的極端駕駛環境下穩定運行且不丟失數據，因此耐熱且高耐久性的eM RAM被認為是替代傳統閃存的最佳解決方案。三星電子還可以通過8納米工藝的微型化顯著降低功耗，從而為延長電動汽車的續航里程做出貢獻。

三星電子已將eM RAM視為其晶圓代工業務的未來增長引擎，并正按計劃推進其發展。該公司于2024年底完成了14nm eM RAM工藝的研發。基于此，三星電子與現代汽車公司簽訂了供貨合同，從而獲得了重要的參考數據。

三星電子計劃于2026年開始8nm eMRAM的全面量產。該公司還計劃在2027年前將eM RAM的應用擴展到5nm工藝，以擴大基于超精細工藝的汽車嵌入式存儲器市場的技術差距。一位半導體行業人士表示：“繼獲得特斯拉2nm自動駕駛芯片訂單后，三星電子通過與現代汽車公司在eM RAM領域開展合作，進一步強化了其汽車產品組合。”他補充道：“8nm eM RAM的研發似乎表明了三星鞏固其汽車領域參考數據的決心。”

（來源：編譯自naver）

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